[发明专利]用于制造具有带有纹理表面的透明传导氧化物层的多层结构的工艺和借此制成的结构

权利要求书

1.一种多层结构，其包括：

(a)衬底，

(b)第一透明传导氧化物(TCO)层，

(c)富含金属的第二TCO层，以及

(d)任选地第三TCO层，

其中所述第二TCO层的至少一部分和存在情况下的所述第三TCO层的至少一部分经蚀刻以形成纹理表面。

2.根据权利要求1所述的多层结构，其中所述第二TCO层包括用Al掺杂的ZnO(AZO)或用Ga掺杂的ZnO(GZO)，且任选地用选自Ag、Al、Cu、Au、Mo、Wo、In、Ti、Sn或Ni的一种或一种以上金属掺杂。

3.根据权利要求2所述的多层结构，其中所述第二TCO层中的掺杂剂的量为10重量％到80重量％。

4.根据权利要求3所述的多层结构，其中所述第二TCO层中的所述掺杂剂的量为20重量％到50重量％。

5.根据权利要求1所述的多层结构，其中所述第二TCO层的厚度为0.001μm到0.05μm。

6.根据权利要求5所述的多层结构，其中所述第二TCO层的厚度为0.02μm到0.03μm。

7.根据权利要求1所述的多层结构，其中所述第三TCO层包括选自Ag、Al、Cu、Cr、Zn、Mo、Wo、Ca、Ti、In、Sn或Ni的金属的氧化物，或者ZnO:Al(AZO)、ZnO:Ga(GZO)、SnO2:Sb(ATO)、SnO₂:F(FTO)或BaTiO。

8.根据权利要求1所述的多层结构，其中所述第三TCO层的粒度在0.2μm到2.0μm的范围内。

9.根据权利要求1所述的多层结构，其中所述第一TCO层包括选自Ag、Al、Cu、 Cr、Zn、Mo、Wo、Ca、Ti、In、Sn或Ni的金属的氧化物，或者ZnO:Al(AZO)、ZnO:Ga(GZO)、SnO2:Sb(ATO)、SnO₂:F(FTO)或BaTiO。

10.根据权利要求1所述的多层结构，其中所述第一TCO层的厚度为0.1μm到3μm。

11.根据权利要求1所述的多层结构，其中所述第一TCO层和所述第三TCO层由相同材料形成。

12.一种用于制造多层结构的方法，其包括以下步骤：

(a)提供衬底，

(b)在所述衬底上形成第一TCO层，

(c)在所述第一TCO层上形成富含金属的第二TCO层，

(d)任选地在所述第二TCO层上形成第三TCO层，

(e)蚀刻以形成纹理表面，其中所述蚀刻在所述第二TCO层处停止。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二TCO层包括用Al掺杂的ZnO(AZO)或用Ga掺杂的ZnO(GZO)，且任选地用选自Ag、Al、Cu、Au、Mo、Wo、In、Ti、Sn或Ni的一种或一种以上金属掺杂。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二TCO层中的掺杂剂的量为10重量％到80重量％。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二TCO层中的所述掺杂剂的量为20重量％到50重量％。

16.根据权利要求12所述的方法，其中所述第二TCO层的厚度为0.001μm到0.05μm。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述第二TCO层的厚度为0.02μm到0.03μm。

18.根据权利要求12所述的方法，其中所述第三TCO层包括选自Ag、Al、Cu、Cr、Zn、Mo、Wo、Ca、Ti、In、Sn或Ni的金属的氧化物，或者ZnO:Al(AZO)、ZnO:Ga(GZO)、SnO2:Sb(ATO)、SnO₂:F(FTO)或BaTiO。

19.根据权利要求12所述的方法，其中所述第一TCO层包括选自Ag、Al、Cu、Cr、Zn、Mo、Wo、Ca、Ti、In、Sn或Ni的金属的氧化物，或者ZnO:Al(AZO)、ZnO:Ga(GZO)、SnO2:Sb(ATO)、SnO₂:F(FTO)或BaTiO。