[发明专利]用于核磁共振成像应用的IC标签/RFID标签无效
| 申请号： | 201010247361.8 | 申请日： | 2007-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN101901368A | 公开（公告）日： | 2010-12-01 |
| 发明（设计）人： | 杨啸宇;藤田浩之;郑庆华 | 申请（专利权）人： | 高质电动有限公司 |
| 主分类号： | G06K19/073 | 分类号： | G06K19/073 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 康建忠 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 核磁共振成像 应用 ic 标签 rfid | ||
1.一种用于和MRI机器一起使用的RFID标签(10)，其特征在于，所述RFID标签包括：
RFID集成电路(11)；以及
连接到所述RFID集成电路的结构(13，14，15)，用于当所述RFID标签暴露于MRI RF发送器场时保护所述RFID集成电路不受损坏，
其中，所述结构包括：可控低阻抗装置(14)，
其特征在于，所述可控低阻抗装置包括：与所述集成电路并联连接的串联LC谐振电路。
2.如权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，所述串联LC谐振电路的谐振频率是MRI RF发送器的频率。
3.如权利要求1所述的RFID标签，其特征在于，所述可控低阻抗装置包括：传输线部分，具有在预定MRI RF频率提供与集成电路并联的低阻抗的长度。
4.如权利要求3所述的RFID标签，其特征在于，所述传输线是四分之一波长开路传输线，其在所述频率提供与所述集成电路并联的短路电路。
5.一种用于和MRI机器一起使用的RFID标签(10)，其特征在于，所述RFID标签包括：
RFID集成电路(11)；以及
连接到所述RFID集成电路的结构(13，14，15)，用于当所述RFID标签暴露于MRI RF发送器场时保护所述RFID集成电路不受损坏，
其特征在于，所述用于保护集成电路的结构包括：可控高阻抗装置。
6.如权利要求5所述的RFID标签，其特征在于，所述可控高阻抗装置包括：与所述集成电路串联耦合的并联LC谐振电路。
7.如权利要求6所述的RFID标签，其特征在于，所述并联LC谐振电路的谐振频率是预定MRI RF频率。
8.一种用于和MRI机器一起使用的RFID标签(10)，其特征在于，所述RFID标签包括：
RFID集成电路(11)；以及
连接到所述RFID集成电路的结构(13，14，15)，用于当所述RFID标签暴露于MRI RF发送器场时保护所述RFID集成电路不受损坏，
其特征在于，所述用于保护集成电路的结构包括：频率选择性RF滤波器(15)。
9.如权利要求8所述的RFID标签，其特征在于，所述RF滤波器包括：带通滤波器，其仅让具有RFID读取器频率的信号通过。
10.如权利要求8所述的RFID标签，其特征在于，所述RF滤波器包括：带通滤波器，其至少阻塞MRI RF频率。
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