[发明专利]肖特基二极管有效
| 申请号： | 201010246093.8 | 申请日： | 2010-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN102347373A | 公开（公告）日： | 2012-02-08 |
| 发明（设计）人： | 洪崇祐;胡智闵;陈永初;龚正 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 肖特基 二极管 | ||
1.一种肖特基二极管，包括：
一欧姆接触层；
一金属层；
一漂流通道，延伸于该欧姆接触层和该金属层之间；以及
一夹止机制，用以在该肖特基二极管被逆向偏压时夹止该漂流通道。
2.根据权利要求1所述的肖特基二极管，其中该夹止机制包括一第一阱和一控制栅。
3.根据权利要求2所述的肖特基二极管，其中该夹止机制更包括一第二阱，其中该第一和该第二阱位于该漂流通道的相对的两侧。
4.根据权利要求3所述的肖特基二极管，其中该第一和该第二阱是由一第一导电型的半导体材料所形成，其中该漂流通道是由一第二导电型的半导体材料所形成。
5.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其中该第一导电型为P型导电性，其中该第二导电型为N型导电性。
6.根据权利要求4所述的肖特基二极管，其中该控制栅延伸于该第一和该第二阱之间，并穿越该漂流通道。
7.根据权利要求6所述的肖特基二极管，其中该控制栅包括一介电层和一导体层。
8.根据权利要求7所述的肖特基二极管，其中该导体层是由多晶硅所形成，该介电层是由二氧化硅所形成。
9.根据权利要求6所述的肖特基二极管，其中该漂流通道形成于一第一衬底内，该衬底具有一接触面，其中该衬底是由该第一导电型的半导体材料所形成。
10.根据权利要求9所述的肖特基二极管，其中该第一衬底形成于一第二衬底的一阱内，其中该第二衬底是由该第二导电型的半导体材料所形成。
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