[发明专利]存储器以及制造存储器的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造存储器的方法，以及利用该方法获得的存储器。

背景技术

在制造存储器(具体地说为闪存)的过程中，可利用闪存工艺中必须用到的栅极多晶硅、存储器多晶硅与衬底，使它们形成一个电容值比较大的可被称为PPS电容器的电容器，这样不需要额外的光罩(掩膜)就能够形成该PPS电容器。其中，PPS电容器指的是由两层多晶硅和衬底组成的一个三层叠层的电容结构，其中PPS即栅极多晶硅(Gate Poly)，存储器多晶硅(memory Poly)和衬底(Substrate)三者的简称。

但是，在根据上述方法制造存储器时，会产生多晶硅纵梁(poly stringer)形式的多晶硅残留。图1至图5图示了现有技术中在制造存储器的同时制造出PPS电容器的方法的各个阶段。需要说明的是，在本申请的所有附图中，附图中左上角的图表示的是工艺过程中的俯视图，附图中右上角的图表示的是沿着附图左上角的图中的点画线A(即垂直线)获得的截面图，附图中下方的图表示的是沿着附图左上角的图中的点画线B(即水平线)获得的截面图。

具体地说，在存储器多晶硅的刻蚀过程中，首先在图1所示的衬底结构中进行存储器多晶硅的刻蚀工艺，以得到图2所示的结构；图2中斜线阴影部分示出了刻蚀后得到的存储器多晶硅。在刻蚀了存储器多晶硅之后，进一步在图2所示的结构的基础上进行栅极多晶硅的刻蚀，以得到图3所示的结构；图3中的网格阴影线示出了刻蚀后的栅极多晶硅。从图3可以看出，在现有技术中，栅极多晶硅只在右部分地盖过存储器多晶硅，即，在栅极多晶硅刻蚀步骤之后，存储器多晶硅呈现一个向右开口的凹口形状。并且，由于栅极多晶硅只在右边盖过存储器多晶硅，这样在栅极刻蚀步骤之后就会在上侧、下侧以及左侧均有栅极多晶硅残留(多晶硅纵梁)。附图4中右上角的视图以及下方的视图中的三角形区域显示了上侧、下侧以及左侧的栅极多晶硅残留。

为了去除上侧、下侧以及左侧的多晶硅残留，在如图4所示，在随后的字线刻蚀步骤中，还需要对图4中虚线所框出的部分进行刻蚀，以得到图5所示的结构。这样，如图5所示，所形成的存储器结构中的栅极多晶硅、存储器多晶硅和衬底三者形成了一个电容器(PPS电容器)。但是，虽然这个栅极多晶硅残留通过后面的字线刻蚀步骤中予以除去，但是由于除了二氧化硅(附图中的梯形区域表示二氧化硅区域)上存在栅极多晶硅残留之外，上下两侧的栅极多晶硅残留还处于衬底(例如硅衬底)上，所以同时会造成如图5所示的硅衬底的凹陷，这尤其可参见图5的右上角的视图中的衬底上的凹陷部分。

因此，希望提出一种新的制造存储器的方法，使得不仅能够在制造存储器的同时制造出PPS电容器，并且能够避免由于消除栅极多晶硅残留而产生硅衬底凹陷。

发明内容

为此，本发明提供了一种制造存储器的方法，其不仅能够在制造存储器的同时制造出PPS电容器，并且能够避免由于消除栅极多晶硅残留而产生硅衬底凹陷；更具体地说，本发明通过版图优化来消除多晶硅残留。

根据本发明的第一方面，提供了一种制造存储器的方法，包括：存储器多晶硅刻蚀步骤，用于形成刻蚀后的存储器多晶硅层；栅极多晶硅刻蚀步骤，用于在所形成的刻蚀后的存储器多晶硅层上形成刻蚀后的栅极多晶硅层；以及字线刻蚀步骤，用于在所形成的刻蚀后的栅极多晶硅层上刻蚀字线，并去除栅极多晶硅刻蚀步骤中产生的多晶硅残留；其中，栅极多晶硅刻蚀步骤之后，刻蚀后的栅极多晶硅层在刻蚀后的栅极多晶硅层平面的三个方向上覆盖刻蚀后的存储器多晶硅层。

其中，本领域技术人员在阅读了本发明之后可以理解的是，术语“栅极多晶硅层平面”指的是附图中左上角的视图所示的平面。根据本发明的制造存储器的方法不仅能够在制造存储器的同时制造出PPS电容器，并且能够避免由于消除栅极多晶硅残留而产生硅衬底凹陷。

在上述制造存储器的方法中，栅极多晶硅刻蚀步骤之后，使得二氧化硅层之外的衬底区域中不存在多晶硅残留。

在上述制造存储器的方法中，字线刻蚀步骤中去除栅极多晶硅刻蚀步骤中产生的多晶硅残留包括：对二氧化硅层上的多晶硅残留进行刻蚀。

在上述制造存储器的方法中，所述方法还包括在栅极多晶硅刻蚀步骤之后在刻蚀后的栅极多晶硅层中形成硅化金属阻止区。

在上述制造存储器的方法中，所述方法还包括在栅极多晶硅刻蚀步骤之后在刻蚀后的存储器多晶硅层中的未被刻蚀后的栅极多晶硅层覆盖的区域中形成硅化金属阻止区。

在上述制造存储器的方法中，所形成的硅化金属阻止区位于刻蚀后的存储器多晶硅层的与刻蚀后的栅极多晶硅层邻接的边缘区域中。