[发明专利]发光二极管封装结构及发光二极管模组无效
| 申请号: | 201010239123.2 | 申请日: | 2010-07-28 |
| 公开(公告)号: | CN102339941A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
| 发明(设计)人: | 詹勋伟;柯志勋;罗杏芬 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L25/075 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 模组 | ||
1.一种发光二极管封装结构,包括一基板,设于基板的第一表面上的一发光二极管芯片,与发光二极管芯片电连接的二电极,及密封发光二极管芯片的封装体,其特征在于:所述基板的一第二表面上设有至少一沟槽。
2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述至少一沟槽与基板的边沿连通。
3.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述至少一沟槽呈曲线形、直线形或者网状。
4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述至少一沟槽的至少部分表面上镀有金属。
5.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述基板上设有贯穿第一表面与第二表面的导电孔和导热孔,导电孔和导热孔内分别填充导电物质和导热物质。
6.如权利要求5所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述基板上靠近发光二极管芯片的区域内的导热孔的密度比远离发光二极管芯片的区域内的导热孔的密度大。
7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述至少一沟槽的深度为基板的厚度的1/5-1/2。
8.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:还包括一基座,所述基座围设在基板周围,所述电极延伸至基座外并与基板的第二表面平齐。
9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于:所述基板包括交替设置的、高度不一的非导电物质、导电物质和导热物质,且非导电物质、导电物质和导热物质的高度差形成所述至少一沟槽。
10.一种发光二极管模组,包括板材及设置在板材上的至少一发光二极管封装结构,其特征在于:所述至少一发光二极管封装结构为权利要求1-9中任意一项所述的发光二极管封装结构,且所述基板的第二表面贴设在所述板材上。
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