[发明专利]一种树脂基底窄带负滤光膜膜系、滤光片及其制备方法

说明书

技术领域

 本发明涉及光学零件薄膜制造技术领域，具体涉及一种树脂基底窄带负滤光膜膜系，以及采用该膜系镀制成的树脂基底窄带负滤光片及其制备方法。

背景技术

在光学薄膜范畴，将具有对某一窄的波带范围要求高反射率，反射带外其它波段范围要求高透射率特性的膜系称之为窄带负滤光膜膜系。尚未查找到用于树脂基底的窄带负滤光膜膜系、树脂基底的窄带负滤光片及其制备方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种树脂基底窄带负滤光膜膜系。

本发明的目的还在于提供一种树脂基底窄带负滤光片，同时，本发明的目的还在于提供一种该滤光片的制备方法。

为了实现以上目的，本发明所采用的技术方案是：一种树脂基底窄带负滤光膜膜系，该膜系由52层膜层组成，膜系的结构为：

              Sub｜(0.35HL)ⁿ1.5H0.75L  

其中，Sub为树脂基底，H为M2膜层，L为SiO₂膜层，n为周期数，取值为25；

与树脂基底相邻的膜层为第1层，在第1～50层膜层中，奇数层均为M2膜层，膜层的光学厚度均为70nm；偶数层均为SiO₂膜层，膜层的光学厚度均为200nm；

第51层为M2膜层，膜层的光学厚度为272nm；

第52层为SiO₂膜层，膜层的光学厚度为140nm。

一种树脂基底窄带负滤光片，是在树脂基底上镀制上述树脂基底窄带负滤光膜膜系，其膜系结构为：

              Sub｜(0.35HL)ⁿ1.5H0.75L  

其中，Sub代表树脂基底，H为M2膜层，L为SiO₂膜层，n为周期数，取值为25；

与树脂基底相邻的膜层为第1层，在第1～50层膜层中，奇数层均为M2膜层，膜层的光学厚度均为70nm；偶数层均为SiO₂膜层，膜层的光学厚度均为200nm；

第51层为M2膜层，膜层的光学厚度为272nm；

第52层为SiO₂膜层，膜层的光学厚度为140nm。

一种树脂基底窄带负滤光片的制备方法，包括以下步骤：

（1）清洁被镀零件：对树脂基底光学零件表面进行清洁处理；

（2）将被镀零件放置入真空室内，抽真空到真空度高于2×10^-3 Pa，启动离子源，对被镀零件进行离子轰击，轰击时间为5～7分钟，之后关断离子源；

（3）镀制第1层膜层，M2膜料由电子束进行蒸镀，蒸镀时真空度为1×10^-2 Pa～2×10^-2 Pa，蒸发速率为0.5nm/s～0.6nm/s，膜层的光学厚度控制为70nm，控制波长550～560nm；

（4）镀制第2层膜层，SiO₂膜料由电子束进行蒸镀，蒸镀时真空度为9×10^-3 Pa～2×10^-2 Pa，蒸发速率为0.8nm/s～1nm/s，膜层的光学厚度控制为200nm，控制波长550～560nm； 

（5）依次重复步骤（3）和步骤（4），镀制第3～50层膜层，其中奇数层均为M2膜层，膜层的光学厚度均为70nm，偶数层均为SiO₂膜层，膜层的光学厚度均为200nm，在镀制过程中真空室温度不高于60℃；

（6） 镀制第51层膜层，M2膜料由电子束进行蒸镀，蒸镀时真空度为1×10^-2 Pa～2×10^-2 Pa，蒸发速率为0.5nm/s～0.6nm/s，膜层的光学厚度控制为272nm，控制波长520～546nm；

（7）镀制第 52层膜层，SiO₂膜料由电子束进行蒸镀，蒸镀时真空度为9×10^-3 Pa～2×10^-2 Pa，蒸发速率为0.8nm/s～1nm/s，膜层的光学厚度控制为140nm，控制波长520～546nm；

（8）真空室冷却至40℃以下，取出镀制好膜系的树脂基底窄带负滤光片。