[发明专利]一种多晶硅平坦化方法有效
| 申请号： | 201010233192.2 | 申请日： | 2010-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN102339743A | 公开（公告）日： | 2012-02-01 |
| 发明（设计）人： | 姜立维;陈亚威;周儒领 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3105;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 平坦 方法 | ||
1.一种多晶硅平坦化方法，在晶片器件面的存储单元区形成顶部具有氮化硅盖层的栅极，所述晶片器件面的存储单元区和外围电路区沉积多晶硅之后，其特征在于，该方法包括：
在所述多晶硅上沉积第一二氧化硅层；
在所述第一二氧化硅层上沉积氮化硅层；
在存储单元区以第一二氧化硅层为停止层，干法刻蚀去除存储单元区的氮化硅层；
在晶片器件面沉积表面最低点高于所述氮化硅盖层表面的第二二氧化硅层；
以存储单元区的氮化硅盖层和外围电路区的氮化硅层为停止层，多晶硅化学机械研磨所述晶片器件面的第二二氧化硅层、存储单元区的第一二氧化硅层和多晶硅层；
去除残留的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一二氧化硅层厚度范围是100～300埃。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述沉积第一二氧化硅层的方法是等离子增强化学气相沉积。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮化硅层厚度范围是200～350埃。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述沉积氮化硅层采用等离子增强化学气相沉积方法。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二二氧化硅层的厚度范围是800～1100埃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二二氧化硅层采用等离子增强化学气相沉积方法。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述多晶硅化学机械研磨所用的研磨料是氧化物研磨料，所述氧化物研磨料在多晶硅和二氧化硅之间的刻蚀选择比范围是0.8～1.2。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述去除残留的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层之前，多晶硅回刻，以第一二氧化硅层为刻蚀停止层去除外围电路区的氮化硅层。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述多晶硅回刻的刻蚀深度范围是300～500埃。
11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于，所述多晶硅回刻的多晶硅和氮化硅刻蚀选择比范围是0.8～1.2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
