[发明专利]去除硅衬底材料抛光后表面金属杂质的清洗方法无效
| 申请号： | 201010231561.4 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN101892510A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;檀柏梅;高宝红;边娜 | 申请（专利权）人： | 河北工业大学 |
| 主分类号： | C25F1/00 | 分类号： | C25F1/00 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 刘英兰 |
| 地址： | 300130*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 去除 衬底 材料 抛光 表面 金属 杂质 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种去除硅衬底材料抛光后表面金属杂质的清洗方法，其特征在于具体实施步骤如下：
（1）按常规对抛光后硅晶片用去离子水冲洗，去除晶片表面残留的抛光液；
（2）将晶片放入含有FA/OII型螯合剂1-5wt%的电化学方法制备的具有氧化性的水溶液中浸泡，浸泡温度为室温，浸泡时间为5-20分钟；所述氧化性的水溶液是指在5-12V的电压下电解K2SO4溶液15-60分钟所得的电解液；
（3）配制0.1-0.8mol/L的K2SO4 溶液于电化学清洗槽中，以金刚石膜为阳极，不锈钢为阴极，在10V电压下电解30分钟获得具有氧化性的电化学清洗液；
（4）将晶片放置于花篮上，浸入电化学清洗槽的清洗液中用电化学方法进行清洗；采用电化学清洗液为具有氧化性的含有浓度为0.1-1mol/L的K2SO4电解液；所述电化学清洗方法指电压为1-5V，采用温度为20-70℃，时间5-15分钟；利用金属离子在阴极表面放电，去除残余的金属离子；
（5）将硅片取出，用去离子水对晶片进行冲洗，并在室温下通氮气吹干。
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