[发明专利]一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复相陶瓷零件的方法

权利要求书

1.一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复相陶瓷零件的方法，其特征在于，制备工艺为：

a、混粉：将SiC粉、Si₃N₄粉与烧结助剂置于刚玉球磨罐中以一定转速球磨14-18小时，得到混合均匀的带有烧结助剂的氮化硅微粉；其中各粉末质量分数为(5～20)％SiC+(70～85)％Si₃N₄+(5～10)％烧结助剂；烧结助剂由Al₂O₃∶Y₂O₃组成，质量分数为Al₂O₃∶Y₂O₃＝4∶5；

b、石蜡基多组元粘结剂的配置：粘结剂的成份为石蜡即PW、高密度聚乙烯即HDPE、硬质酸即SA，各组元重量百分比为PW∶HDPE∶SA＝(60～70)∶(25～30)∶(5～10)；将三种组元加入恒温装置中共混，达到成份均匀；

c、混炼：将加入了一定量烧结助剂的氮化硅微粉与所配制的多组元聚合物石蜡基粘结剂在开放式炼胶机上混炼1～1.5h，混炼温度为135～150℃，再在SK2160型双螺杆混炼挤出机上制粒，使喂料进一步均匀；烧结助剂的氮化硅微粉与多组元聚合物石蜡基粘结剂粉末体积百分数的比例为50～60∶40～50；

d、注射成形：将制粒后所得喂料在CJ80E型注塑机上注射，注射温度为170～185℃，注射压力为90～110Mpa，模具温度为20～50℃，得到SiCp/Si₃N₄复合陶瓷预成形坯；

e、脱脂及预烧结：采用溶剂脱脂+热脱脂的两步脱脂法，首先将SiCp/Si₃N₄复合陶瓷预成形坯浸于三氯乙烯中进行溶剂脱脂8～12h，脱脂温度为20～50℃，脱脂完成后取出坯体在恒温干燥箱内烘干，热脱脂在真空管式炉中进行，脱脂温度在30～600℃之间，最后加热至1100～1200℃之间进行预烧结0.5～1h，得到预烧结坯，整个加热过程气氛为Ar；

f、烧结：将预烧结坯置于真空烧结炉中于1800～1900℃常压烧结，保温0.5～1h，升温速率1400℃前为5～7℃/min，1400℃后为3～5℃/min，烧结气氛为Ar，烧结体经后续精整处理，得到SiCp/Si₃N₄复合陶瓷零件。

2.按照权利要求1所述的一种制备碳化硅颗粒增强氮化硅复相陶瓷零件方法，其特征在于：Si₃N₄原料的粒径为0.3～1.0μm，纯度＞99％；SiC粒径为0.01～0.1μm，纯度＞99％。