[发明专利]用于装卸半导体晶片的末端执行器无效
| 申请号: | 201010229673.6 | 申请日: | 2004-03-23 |
| 公开(公告)号: | CN101908498A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
| 发明(设计)人: | 保罗·曼茨 | 申请(专利权)人: | 马特森技术公司 |
| 主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 葛飞 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 装卸 半导体 晶片 末端 执行 | ||
1.一种用于装卸半导体晶片的末端执行器,包括:
具有近端和远端的基座构件;
多个位于所述基座构件上的支撑构件,用于接触和支撑置于该末端执行器上的半导体晶片,这些支撑构件在它们之间限定出晶片接收区域;以及
多个应急销,这些应急销在所述基座构件的近端与远端之间的中心区域中、位于所述基座构件上,每个应急销的高度均低于由所述支撑构件限定的高度,这些应急销位于所述基座构件上,以便防止支撑于所述支撑构件上的半导体晶片与所述基座构件的其它部分发生接触。
2.如权利要求1所述的末端执行器,其中,所述应急销具有这样一个高度并且设置于这样一个位置,使得这些应急销仅在保持于所述支撑构件上的半导体晶片发生挠曲时与该半导体晶片发生接触。
3.如权利要求1所述的末端执行器,其中,所述应急销的高度小于约1毫米。
4.如权利要求1所述的末端执行器,其中,该末端执行器在所述晶片接收区域之内包括两个在所述基座构件上的中心区域中跨过一间隔设置的应急销。
5.如权利要求4所述的末端执行器,其中,所述基座构件包括与第二尖叉间隔开的第一尖叉,每个尖叉均包括一个限定出所述基座构件的远端的端部,并且各个应急销位于对应的尖叉上。
6.如权利要求1所述的末端执行器,其中,所述基座构件由包括金属的材料制成。
7.如权利要求1所述的末端执行器,其中,所述基座构件由包括石英的材料制成。
8.如权利要求6所述的末端执行器,其中,所述支撑构件和应急销均由晶体材料制成。
9.如权利要求8所述的末端执行器,其中,所述晶体材料包括石英。
10.如权利要求1所述的末端执行器,其中,至少一个所述支撑构件限定出一个呈外凸且偏心形状的倾斜表面,该倾斜表面被构造成仅与半导体晶片的边缘发生接触。
11.如权利要求1所述的末端执行器,其中,所述支撑构件被构造成仅与半导体晶片的边缘发生接触。
12.如权利要求1所述的末端执行器,还包括位于所述基座构件的近端处的推动装置,该推动装置包括可回缩活塞,所述活塞被构造成半导体晶片的边缘发生接触,用于在所述基座构件上对所述晶片进行定位。
13.如权利要求1所述的末端执行器,其中,该末端执行器的最大轮廓高度低于约12毫米。
14.如权利要求1所述的末端执行器,其中,该末端执行器的最大轮廓高度低于约10毫米。
15.如权利要求12所述的末端执行器,其中,所述推动装置中的活塞与气动致动器作用上相关联,该气动致动器被构造成接收高压气体,用于将所述活塞从回缩位置移动至伸展位置。
16.如权利要求15所述的末端执行器,还包括与所述气动致动器相邻设置的吸气装置,该吸气装置被构造成产生吸力,用于捕获在所述活塞运动过程中释放出的任何颗粒。
17.如权利要求1所述的末端执行器,其中,还包括晶片探测系统,该晶片探测系统包括跨过所述基座构件与受光通道对置的送光通道,此送光通道被构造成朝向所述受光通道发射光束,并且该晶片探测系统被构造成在所述光束被晶片阻断时探测出晶片的存在。
18.如权利要求1所述的末端执行器,其中,所述支撑构件具有拱形形状,该拱形形状大体上与半导体晶片的半径匹配,各个支撑构件具有这样一个晶片接触表面,该晶片接触表面从一个最大半径逐渐变小至与所述基座构件相邻的最小半径,最大半径与最小半径之间的差值至少为约0.75毫米,所述支撑构件仅沿着半导体晶片的边缘与该半导体晶片发生接触。
19.如权利要求18所述的末端执行器,其中,所述支撑构件由能够经受高达至少750℃温度的材料制成。
20.如权利要求18所述的末端执行器,其中,包括所述支撑构件和应急销的基座构件由晶体材料制成。
21.如权利要求20所述的末端执行器,其中,所述支撑构件和应急销与所述基座构件一体成形。
22.如权利要求20所述的末端执行器,其中,所述结晶材料包括石英。
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