[发明专利]覆晶式LED封装结构

权利要求书

1.一种覆晶式LED封装结构，其包括一个基板、一个封装壳体、两个电极以及一个LED芯片，所述基板为透明的平板体，包含有一个承载面以及相对所述承载面的一个荧光粉层，所述承载面设置所述封装壳体以及两个电极，所述LED芯片设置于所述两个电极之间并达成电性连接，所述LED芯片的底部具有反射层设置，使光线向所述基板方向投射并穿过所述荧光粉层，所述荧光粉层具有分层涂布，每一涂布具有一特定颜色波长的荧光粉，不同涂布有不同颜色波长的荧光粉。

2.如权利要求1所述的覆晶式LED封装结构，其特征在于：所述基板为高光穿透率的材料，如二氧化硅(SiO₂)、氮化硅(Si₃N₄)、类钻石材料(Diamond-like material)、钻石(Diamond)、蓝宝石(Sapphire)、多分子材料(Polymer materials)、石英(Quartz)。

3.如权利要求1所述的覆晶式LED封装结构，其特征在于：所述封装壳体设置在所述基板外围，所述封装壳体内部形成一个容置腔，所述基板位于所述容置腔的一端，从而与所述封装壳体共同构成一个底端封闭的空腔。

4.如权利要求3所述的覆晶式LED封装结构，其特征在于：所述封装壳体的材料为氮化铝(AlN)、硅(Si)、氮化硼(BN)、石墨(C)散热结构的材料。

5.如权利要求1所述的覆晶式LED封装结构，其特征在于：所述两个电极从所述基板的承载面之两端以相对方向沿着所述容置腔内侧壁至所述容置腔之另一端。

6.如权利要求5所述的覆晶式LED封装结构，其特征在于：所述两个电极的材料至少包含一铝(Al)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、氧化铟锡(ITO)等金属或金属氧化物导电材料。

7.如权利要求1所述的覆晶式LED封装结构，其特征在于：所述荧光粉层藉由所述基板的平板体以薄膜贴合或是旋涂方式附着于所述基板表面上。

8.如权利要求1所述的覆晶式LED封装结构，其特征在于：所述荧光粉层依荧光粉颜色波长由长波长至短波长顺序分层涂布。

9.如权利要求8所述的覆晶式LED封装结构，其特征在于：所述荧光粉层采用红、绿、蓝长波长至短波长顺序分层涂布于所述基板表面上。

10.如权利要求1所述的覆晶式LED封装结构，其特征在于：所述基板承载面上的所述LED芯片与所述封装壳体的高度为一致。