[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上的半导体层；

在上述半导体层上的隔离层；

在上述隔离层上的钝化层；

与上述半导体层电气相通的源极和漏极；以及

在上述隔离层上的栅极；

其中，上述栅极包括下部、中部和上部，上述下部和/或上述中部构成场板结构。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，上述上部与上述钝化层分离。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，上述场板结构由上述下部和上述中部构成并靠近上述漏极侧形成。

4.根据权利要求1至3中任何一项所述的半导体器件，其中，上述下部靠近上述隔离层的长度小于靠近上述中部的长度。

5.根据权利要求1至4中任何一项所述的半导体器件，其中，上述上部的长度大于上述中部和上述下部的长度。

6.根据权利要求1至5中任何一项所述的半导体器件，其中，上述栅极包括绝缘栅结构。

7.根据权利要求1至5中任何一项所述的半导体器件，还包括浮栅结构。

8.根据权利要求1至5中任何一项所述的半导体器件，其中，上述栅极还包括在上述上部上的至少一个附加的部分。

9.根据权利要求1至5中任何一项所述的半导体器件，其中，上述半导体层和上述隔离层包括III族氮化物半导体材料，其中III价原子包括铟、铝、镓或其组合。

10.根据权利要求1至5中任何一项所述的半导体器件，其中，所述钝化层包括晶体材料和/或非晶体材料。

11.一种用于制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在衬底上形成半导体层；

在上述半导体层上形成隔离层；

在上述隔离层上形成钝化层；

形成与上述半导体层电气相通的源极和漏极；以及

在上述隔离层上形成栅极，

其中，上述栅极包括下部、中部和上部，上述下部和/或上述中部构成场板结构。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，上述上部与上述钝化层分离。

13.根据权利要求11或12所述的方法，其中，上述场板结构由上述下部和上述中部构成并靠近上述漏极侧形成。

14.根据权利要求11至13中任何一项所述的方法，其中，上述下部靠近上述隔离层的长度小于靠近上述中部的长度。

15.根据权利要求11至14中任何一项所述的方法，其中，上述上部的长度大于上述中部和上述下部的长度。

16.根据权利要求11至15中任何一项所述的方法，其中，上述栅极包括绝缘栅结构。

17.根据权利要求11至15中任何一项所述的方法，上述形成栅极的步骤包括形成浮栅结构的步骤。

18.根据权利要求11至15中任何一项所述的方法，其中，上述栅极还包括在上述上部上的至少一个附加的部分。

19.根据权利要求11至15中任何一项所述的方法，其中，上述半导体层和上述隔离层包括III族氮化物半导体材料，其中III价原子包括铟、铝、镓或其组合。

20.根据权利要求11至15中任何一项所述的方法，其中，所述钝化层包括晶体材料和/或非晶体材料。