[发明专利]一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器

权利要求书

1.一种带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器的结构及制作方法，其特征在于器件的结构和制作方法。

2.根据权利要求1所述的带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器的结构及制作方法，其特征在于，在传统激光器外延片上光刻出图1中4、6所标示区域的图形，4区域长为500um，宽为10-120um；6区域长为50-500um，宽为4-200um；图1中4、6所标示的区域被光刻胶保护，未被光刻胶保护的所标示区域5被刻蚀0.3-1um。

3.根据权利要求1所述的带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器的结构及制作方法，其特征在于，在完成(1)的基础上，在整个做光刻图形的激光器外延片上溅射0.2-0.35um厚的掩蔽膜，然后使用传统lift off工艺剥离掉图1中4、6所标示区域上的光刻胶及其上的掩蔽膜。

4.根据权利要求1所述的带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器的结构及制作方法，其特征在于，在完成步骤(2)的基础上，在激光器的外延片上光刻出图1中所标示的4，即经过光刻后5、6上留有光刻胶，4上无光刻胶，5区域的长为50-500um，宽为150-248um。

5.根据权利要求1所述的带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器的结构及制作方法，其特征在于，在完成步骤(3)的基础上，刻蚀掉图1中4区域0-0.8um，并在整个所做光刻图形的激光器外延片上溅射0.2-0.35um厚的掩蔽膜。

6.根据权利要求1所述的带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器的结构及制作方法，其特征在于，在完成步骤(4)的基础上，使用传统lift off工艺剥离图1中5、6所标示区域上的光刻胶及其上的掩蔽膜。

7.根据权利要求1所述的带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器的结构及制作方法，其特征在于，在步骤(5)的基础上，在所制作的图形上制备15/25/350nm的Ti/Pt/Au的P面电极。

8.根据权利要求1所述的带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器的结构及制作方法，其特征在于，在步骤(6)的基础上，N面减薄到90-130um后，在其上制备20/150/15/25/350nm的Ni/AuGe/Ti/Pt/Au N面电极。

9.根据权利要求1所述的带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器的结构及制作方法，其特征在于，在步骤(7)的基础上，在合金炉内450℃恒温10秒后急速冷却至常温，取出解理，以图1中4与6的长度和及其结构作为解理周期，即以2-10个4和6构成的周期结构长度解理半导体激光器外延片。

10.根据权利要求1所述的带有模式滤波器的高亮度条形半导体激光器的结构及制作方法，其特征在于，在步骤(8)的基础上，装架镀膜，在出光的前腔面镀透过率不小于98％的增透膜，后腔面镀反射率不小于94％的高反射膜。