[发明专利]异构存储系统及其使用的高速缓存优化方法

权利要求书

1.一种异构存储系统，其包括一PCI接口，所述PCI接口可与外部访问源相互通讯，其特征在于：还包括至少一组F1ash阵列、至少一个静态SRAM缓冲块、至少一组交叉矩阵以及用来进行交叉矩阵连接的总线和对应的控制逻辑，所述Flash阵列、SRAM缓冲块的数据地址线和所述外部访问源都直接与所述交叉矩阵相连。

2.根据权利要求1所述的异构存储系统，其特征在于：所述Flash阵列的逻辑被分为奇偶两个个体，所述奇个体和偶个体各有独立的数据和地址总线。

3.根据权利要求1所述的异构存储系统，其特征在于：所述SRAM缓冲块的SRAM芯片与所述Flash阵列中Flash芯片的页大小相同。

4.一种根据权利要求1或2或3所述异构存储系统使用的高速缓存优化方法，其特征在于：包括以下步骤，

(1)在数据读取时，所述异构存储系统首先接收外部的读信号，然后判断在当前SRAM缓冲块中是否存在数据命中；若命中，则直接配置所述交叉矩阵使所述SRAM缓冲块与所述外部访问源相连，读取数据，同时查看预取标志位，若需要预取，则同时配置所述交叉矩阵，将所述Flash芯片中的下一组数据预取到下一组SRAM缓冲块中；若不命中，则需要配置所述交叉矩阵，先将数据从所述Flash芯片中读取到所述SRAM缓冲块中，然后再配置所述交叉矩阵从所述SRAM缓冲块中读取。

(2)在数据写入时，所述异构存储系统首先接收外部的写请求，然后通过所述SRAM缓冲块的调度模块获得当前要写入的缓冲组编号，之后配置所述交叉矩阵使所述SRAM缓冲块与所述外部访问源相连；在所述外部访问源将数据写满第一组SRAM缓冲块之后，所述缓冲调度模块获得下一组缓冲编号，并重新配置所述交叉矩阵使外部访问源将数据写入，与此同时，已写满的SRAM缓冲块通过所述交叉矩阵配置与所述Flash阵列相连，同时进行从SRAM缓冲块到所述Flash芯片的数据传输。