[发明专利]一种半导体器件的形成方法及其半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，所述方法包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成绝缘界面层；

在所述绝缘界面层上形成第一金属层；

在所述第一金属层上形成栅介质层；

在所述栅介质层上形成第二金属层；

对所述器件进行加工，以形成栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘界面层从包含下列元素的组中选择来形成：SiO₂、SiON、HfO₂、HfSiO_x、HfON、HfSiON、HfAlO_x、Al₂O₃、ZrO₂、ZrSiO_x、Ta₂O₅、La₂O₃、HfLaO_x、LaAlO_x、LaSiO_x、Y₂O₃、AlN、上述材料的氮化物、上述材料的氮氧化物、其他稀土元素氧化物、其他稀土元素氮化物、SiN_x、SiON或者上述材料的组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一金属层从包含下列元素的组中选择来形成：TiN、TaN、MoN、HfN、TaAlN、TiAlN、MoAlN、HfAlN、TaYbN、TaErN、TaTbN、TaC、HfC、TaSiC、HfSiC、Pt、Ru、Ir、W、Mo、Re、RuO_x、RuTa_x、HfRu_x、多晶硅、金属硅化物或者上述材料的组合。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述栅介质层为高k介质层。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述高k介质层从包含下列元素的组中选择来形成：HfO₂、HfSiO_x、HfON、HfSiON、HfAlO_x、Al₂O₃、ZrO₂、ZrSiO_x、Ta₂O₅、La₂O₃、HfLaO_x、LaAlO_x、LaSiO_x、Y₂O₃、AlN、上述材料的氮化物、上述材料的氮氧化物、其他稀土元素氧化物、其他稀土元素氮化物、SiN_x、SiON或者上述材料的组合。

6.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

形成于所述半导体衬底上的栅极结构，

其中，所述栅极结构包括：在所述半导体衬底上的绝缘界面层、在所述绝缘界面层上的第一金属层、在所述第一金属层上的栅介质层、在所述栅介质层上的第二金属层。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述绝缘界面层从包含下列元素的组中选择来形成：SiO₂、SiON、HfO₂、HfSiO_x、HfON、HfSiON、HfAlO_x、Al₂O₃、ZrO₂、ZrSiO_x、Ta₂O₅、La₂O₃、HfLaO_x、LaAlO_x、LaSiO_x、Y₂O₃、AlN、上述材料的氮化物、上述材料的氮氧化物、其他稀土元素氧化物、其他稀土元素氮化物、SiN_x、SiON或者上述材料的组合。