[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括至少两个拼接区域，各拼接区域内的薄膜晶体管TFT图案中，漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中，栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区，漏极与所述栅极金属层形成的重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中的重叠区域的面积的差值小于阈值。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和等于其它拼接区域中的重叠区域的面积。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述补偿栅极区在所述漏极向所述栅极金属层延伸的方向上的宽度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

4.根据权利要求1至3中任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述漏极为矩形。

5.一种薄膜晶体管液晶显示器，包括薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括至少两个拼接区域，各拼接区域内的薄膜晶体管TFT图案中，漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中，栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区，漏极与所述栅极金属层形成的重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中的重叠区域的面积的差值小于阈值。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和等于其它拼接区域中的重叠区域的面积。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管液晶显示器，其特征在于，所述补偿栅极区在所述漏极向所述栅极金属层延伸的方向上的宽度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

8.根据权利要求5至7中任意一项所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述漏极为矩形。

9.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上的至少一个拼接区域内形成层叠的第一功能薄膜层，该第一功能薄膜层包括栅极金属层，其中栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区；

在所述第一功能薄膜层的上方形成源、漏极，以形成TFT图案，其中，所述拼接区域内的TFT图案中，所述漏极与所述栅极金属层形成重叠区域，所述重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中漏极与栅极金属层形成的重叠区域的面积的差值小于阈值；

在形成的TFT图案上方形成第二功能薄膜层，获得薄膜晶体管阵列基板。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述补偿栅极区在所述漏极向所述栅极金属层延伸的方向上的宽度大于等于曝光机的拼接曝光对位误差值。

11.一种薄膜晶体管液晶显示器的制造方法，其特征在于，包括：

在玻璃基板上的至少一个拼接区域内形成层叠的第一功能薄膜层，该第一功能薄膜层包括栅极金属层，其中栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区；

在所述第一功能薄膜层的上方形成源、漏极，以形成TFT图案，其中，所述拼接区域内的TFT图案中，所述漏极与所述栅极金属层形成重叠区域，所述重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中漏极与栅极金属层形成的重叠区域的面积的差值小于阈值；

在形成的TFT图案上方形成第二功能薄膜层，获得薄膜晶体管阵列基板；

将所述薄膜晶体管阵列基板与已形成的对向彩膜基板贴合，进入后续制程，形成薄膜晶体管液晶显示器。