[发明专利]一种利用金矿尾矿合成SiC粉体的方法无效
| 申请号: | 201010210328.8 | 申请日: | 2010-06-18 |
| 公开(公告)号: | CN101857439A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
| 发明(设计)人: | 徐利华;仉小猛;郝洪顺;张作顺 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
| 主分类号: | C04B35/565 | 分类号: | C04B35/565;C04B35/626;C01B31/36 |
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| 地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 利用 金矿 尾矿 合成 sic 方法 | ||
技术领域
本发明属于陶瓷、耐火材料以及矿产废弃物综合利用技术领域,提供了一种用金矿尾矿合成SiC粉体的方法,工艺简单易于控制,原料成本低。
背景技术
碳化硅是一种强共价键化合物材料,具有优异的高温强度、耐磨性、耐腐蚀性、耐辐照、高硬度、高弹性模量、高热导率、高温强度、热膨胀系数小、抗热震性能好等显著特点,在航空、航天、汽车、机械、石化、冶金和电子等行业得到了广泛的应用。
碳热还原法是合成SiC粉体的常用方法,技术成熟,工艺简单,易于控制,但粉体质量不高、杂质含量大。
公开号为CN1511806A的中国发明专利申请中提供了一种利用石油焦化学反应法制备SiC陶瓷粉体的方法,以Si粉末和石油焦为原料,在惰性气体保护气氛下,在500℃~700℃用钨丝电点火点燃坯体,制备出SiC陶瓷粉体。该方法采用硅粉为原料,价格较高,石油焦成分不稳定,这就给实际生产带来了诸多不便。
公开号为CN1163859A的中国发明专利申请中提供了一种直接生成高纯α-SiC微粉的工艺方法,以石英粉为主要原料,经低温碳热还原直接生成高温型碳化硅(α-SiC)粉料。该方法得到的为高温型α-SiC,能耗较大,而现如今陶瓷、耐火材料行业原料多采用烧结性较好的β-SiC。
现如今,有很多关于碳热还原制备SiC粉体的报道,本发明与之相比有以下几个突出特点:主要原料为危害环境的金矿尾矿,成本低且有利于环境保护;工艺简单易于控制;所用粘结剂为PVA(聚乙烯醇),还原剂为碳粉,价廉易得。
发明内容
本发明提供一种利用危害环境的金矿尾矿为原料制备SiC粉体的方法,目的在于降低生产成本,减少环境污染。
一种用金矿尾矿合成SiC粉体的方法,本发明以金矿尾矿为主要原料,添加适量石英砂,以碳粉为还原剂,机压成型得到成份均匀坯体。在制备过程中通过控制配料比、烧结温度、升温制度、保温时间等工艺参数,可得到以SiC为主的混合粉体。工艺流程如下:
1、本发明中所涉及金矿尾矿主成分为SiO2,还含有少量A12O3、CaO、Fe2O3等成分。
2、金矿尾矿原料粉碎,过0.074mm标准筛,然后将尾矿、SiO2、碳粉(石墨或碳黑)按照2.5∶0.7-1.2∶1.7-2.2的质量百分比混合;
3、混合料中加入无水乙醇作为分散剂和助磨剂,在常温下研磨5-7小时,使之充分均匀混合;无水乙醇的加入量为混合料总质量的4-10%;
4、混合粉料掺入粘结剂,置于磨具中机压成型,脱模后在50-100℃温度下干燥18-24小时;每10克混合反应物料加粘结剂量为1~6ml;粘结剂为3-5%PVA(聚乙烯醇),其余为水;
5、将干燥后坯体放入坩埚中,埋碳粉,然后置于管式炉中,以下升温制度进行升温:5-35℃60min至200℃,200℃经200min至800℃,保温30min,然后以2-8℃/min的升温速率升温至1450-1650℃,保温4-8小时,自然冷却至5-35℃,取出制品;然后再放入马弗炉中800℃5-7小时除去残碳。得到主晶相为SiC的混合粉体。
本发明的优点在于:
1、制备工艺简单,无需复杂的工艺设备和工艺过程,同时以大量的废弃尾矿作为原料,变废为宝,缓解废弃的尾矿对环境的压力。
2、得到以SiC为主的混合粉体。可广泛应用于冶金、化工、电力、能源等工业领域。
附图说明
图1为所得最终粉体产物的XRD图谱。
具体实施方式
金矿尾矿组成为:
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