[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

栅极；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括邻近栅极的沟道区，所述氧化物半导体层包括铟；

与氧化物半导体层直接接触的源极和漏极，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物；以及

与氧化物半导体层接触的金属氧化物膜，

其中沟道区实质上是本征的。

2.一种半导体器件，包括：

栅极；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括邻近栅极的沟道区，所述氧化物半导体层包括铟；

栅绝缘膜，所述栅绝缘膜包括氧化铝并且位于栅极和氧化物半导体层之间；以及

与氧化物半导体层接触的源极和漏极，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物；

其中沟道区实质上是本征的。

3.一种半导体器件，包括：

栅极；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括邻近栅极的沟道区，所述氧化物半导体层包括铟；

栅绝缘膜，所述栅绝缘膜包括多个绝缘层并且位于栅极和氧化物半导体层之间，其中多个绝缘层的至少其中之一包括氧化铝；以及

与氧化物半导体层接触的源极和漏极，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物；

其中沟道区实质上是本征的。

4.一种半导体器件，包括：

栅极；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括栅极上方的沟道区，所述氧化物半导体层包括铟；

栅极和氧化物半导体层之间的栅绝缘膜；以及

氧化物半导体层上的、包括氧化铝的钝化膜。

5.如权利要求4所述的半导体器件，还包括：

与氧化物半导体层直接接触的源极和漏极，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其中沟道区实质上是本征的。

7.一种半导体器件，包括：

栅极；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括栅极上方的沟道区，所述氧化物半导体层包括铟；

栅极和氧化物半导体层之间的栅绝缘膜；以及

氧化物半导体层上的、包括多个绝缘膜的钝化膜，

其中多个绝缘膜的至少其中之一包括氧化铝。

8.如权利要求7所述的半导体器件，还包括：

与氧化物半导体层直接接触的源极和漏极，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物。

9.一种半导体器件，包括：

栅极；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括栅极上方的沟道区，所述氧化物半导体层包括铟；

栅极和氧化物半导体层之间的栅绝缘膜；以及

在氧化物半导体层上形成的、以便防止水汽进入氧化物半导体层的钝化膜，

其中沟道区实质上是本征的。

10.如权利要求9所述的半导体器件，还包括：

与氧化物半导体层直接接触的源极和漏极，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物。

11.如权利要求1、2、3、4和9中的任何一项所述的半导体器件，其中氧化物半导体层包括基于In-Ga-Zn-O的非晶氧化物半导体。

12.一种显示器件，包括：

栅极；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括邻近栅极的沟道区，所述氧化物半导体层包括铟；

与氧化物半导体层直接接触的源极和漏极，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物；

与源极和漏极的其中之一电接触的像素电极；以及

与氧化物半导体层接触的金属氧化膜，

其中沟道区实质上是本征的。

13.一种显示器件，包括：

栅极；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括邻近栅极的沟道区，所述氧化物半导体层包括铟；

栅绝缘膜，所述栅绝缘膜包括氧化铝并且位于栅极和氧化物半导体层之间；

与氧化物半导体层直接接触的源极和漏极，所述源极和漏极中的每一个包括金属或金属氮化物；以及

与源极和漏极的其中之一电接触的像素电极，

其中沟道区实质上是本征的。