[发明专利]非易失性存储装置

权利要求书

1.一种存储装置，包括一存储单元阵列，其中至少一存储单元包括：

晶体管，其具有第一端、第二端和栅极端，所述晶体管的阈值电压在与各存储状态相关联的多个不同阈值电压之间切换；以及

电阻值切换装置，其与所述晶体管的所述第一端和所述第二端中的一端串联，所述电阻值切换装置在与各存储状态相关联的多个不同电阻值之间切换。

2.如权利要求1所述的存储装置，其中所述电阻值切换装置包括第一界面区和第二界面区，所述第一界面区和所述第二界面区各自具有不同的电阻值切换特性。

3.如权利要求2所述的存储装置，其中所述第一界面区和所述第二界面区中的至少一个包括至少一部分介质层。

4.如权利要求3所述的存储装置，其中所述介质层包括氧化钨层。

5.如权利要求2所述的存储装置，其中所述第一界面区的电阻值切换特性与所述第二界面区的电阻值切换特性是对称的。

6.如权利要求2所述的存储装置，其中所述第一界面区的电阻值切换特性与所述第二界面区的电阻值切换特性是非对称的。

7.如权利要求1所述的存储装置，其中所述电阻值切换装置包括第一可编程金属化存储单元。

8.如权利要求7所述的存储装置，其中所述电阻值切换装置包括第二可编程金属化存储单元。

9.如权利要求8所述的存储装置，其中所述第一可编程金属化存储单元包括以第一存储层作为第一固体电解质层，以及所述第二可编程金属化存储单元包括以第二存储层作为第二固体电解质层。

10.如权利要求9所述的存储装置，其中所述电阻值切换装置的介质层包括配置在所述第一固体电解质层和所述第二固体电解质层之间的可氧化电极层。

11.如权利要求8所述的存储装置，其中所述第一可编程金属化存储单元和所述第二可编程金属化存储单元各有不同的电阻值切换特性。

12.如权利要求11所述的存储装置，其中所述第一可编程金属化存储单元的电阻值切换特性与所述第二可编程金属化存储单元的电阻值切换特性是对称的。

13.如权利要求11所述的存储装置，其中所述第一可编程金属化存储单元的电阻值切换特性与所述第二可编程金属化存储单元的电阻值切换特性是非对称的。

14.如权利要求1所述的存储装置，其中所述电阻值切换装置包括第一存储结构和第二存储结构。

15.如权利要求14所述的存储装置，其中所述第一存储结构包括电阻性随机存取存储器(RRAM)、磁阻性随机存取存储器(MRAM)和铁电随机存取存储器(FRAM)其中一种。

16.如权利要求1所述的存储装置，其中所述晶体管包括浮栅。

17.一种存储装置，包括：

第一控制线；

第二控制线；

存储单元，其与所述第一控制线和所述第二控制线通讯，所述存储单元包括：

晶体管，具有第一端、第二端和栅极端，所述晶体管的阈值电压在与存储状态相关联的多个不同的阈值电压之间切换；以及

电阻值切换装置，其与所述晶体管的所述第一端和所述第二端中的一端串联，所述电阻值切换装置在与存储状态相关联的多个不同电阻值之间切换。

18.如权利要求17所述的存储装置，其中所述栅极端连接至所述第二控制线。

19.如权利要求17所述的存储装置，其中所述第一控制线和所述第二控制线被控制，以存储数据于所述晶体管和存储数据于所述电阻值切换装置。

20.如权利要求17所述的存储装置，其中所述第一控制线和所述第二控制线被控制，以读取所述晶体管的数据和读取所述电阻值切换装置的数据。

21.如权利要求17所述的存储装置，其中所述电阻值切换装置包括第一界面区和第二界面区，所述第一界面区和所述第二界面区具有各自不同的电阻值切换特性。

22.如权利要求21所述的存储装置，其中所述第一界面区和所述第二界面区中的至少一个包括至少一部分介质层。

23.如权利要求22所述的存储装置，其中所述介质层包括氧化钨层。