[发明专利]以影子非挥发存储器配置冗余存储的存储器

权利要求书

1.一种存储器，包括存储阵列、对应于存储阵列中的普通行的普通字线、对应于存储阵列中的冗余行的冗余字线、以及行译码器，其特征在于，还包括影子非挥发存储器和字线选通管，所述普通字线、冗余字线与存储阵列之间分别串联设置字线选通管，所述字线选通管用于控制其所在的字线是否选通，所述影子非挥发存储器用于控制所述字线选通管的选通以进一步控制该字线选通管所在的字线是否选通。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述字线选通管为MOS管，所述影子非挥发存储器的每个存储单元用于控制所述字线选通管为MOS管的栅极。

3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器为SRAM、DRAM或者Flash。

4.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述影子非挥发存储器为相变存储器、闪存、磁阻随机存储器、电阻随机存储器之一。

5.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，字线选通管的栅极连接于影子非挥发存储器的存储单元的存储节点。

6.一种存储器，包括存储阵列、对应于存储阵列中的普通行的普通位线、对应于存储阵列中的冗余行的冗余位线、以及行译码器，其特征在于，还包括影子非挥发存储器和位线选通管，所述普通位线、冗余位线与存储阵列之间分别串联设置位线选通管，所述位线选通管用于控制其所在的位线是否选通，所述影子非挥发存储器用于控制所述位线选通管的选通以进一步控制该位线选通管所在的位线是否选通。

7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述位线选通管为MOS管，所述影子非挥发存储器的每个存储单元用于控制所述位线选通管为MOS管的栅极。

8.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述存储器为SRAM、DRAM或者Flash。

9.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述影子非挥发存储器为相变存储器、闪存、磁阻随机存储器、电阻随机存储器之一。

10.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，位线选通管的栅极连接于影子非挥发存储器的存储单元的存储节点。