[发明专利]一种MOS型功率器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MOS型功率器件，包括：第一导电类型集电区(304)；第二导电类型漂移区(303)，位于所述第一导电类型集电区上；第一阱(301)，其在漂移区上选择性地形成，与第二导电类型漂移区的导电类型相反；第二导电类型源区(302)，其在第一阱的表面区域部分的选择性地形成；第一绝缘层(305)，位于第二导电类型漂移区(303)上面并且部分地覆盖第一阱(301)；门极(308)，位于第一绝缘层(305)上；第二绝缘层(307)，覆盖门极(308)并且部分覆盖第二导电类型源区(302)；发射极电极(309)，覆盖第二绝缘层(307)并且部分电连接第一阱(301)和第二导电类型源区(302)；集电极电极(310)，位于第一导电类型集电区(304)背面并电连接第一导电类型集电区(304)；其特征在于：

所述第一阱(301)体内具有一导电杂质浓度峰值区域，第一阱(301)的导电杂质浓度从导电杂质浓度峰值区域到第一阱(301)的边缘呈递减趋势，第一阱(301)的结弯曲中心在体内，其第一阱(301)的结深为：2um到15um，第一阱(301)在第二导电类型漂移区(303)表面形成的沟道长度为：1um到10um。

2.根据权利要求1所述的一种MOS型功率器件，其特征在于：所述第一导电类型为P型；第二导电类型为N型。

3.根据权利要求2所述的一种MOS型功率器件，其特征在于：所述第二导电类型源区(302)浓度高于第二导电类型漂移区(303)浓度。

4.根据权利要求1所述的一种MOS型功率器件，其特征在于：第一阱(301)的导电杂质浓度峰值距离第二导电类型漂移区(303)表面的距离是0.5um至5um。

5.根据权利要求1所述的一种MOS型功率器件，其特征在于：相对的第一阱(301)杂质浓度峰值区域边缘与门极电极边缘大体在同一平面上。

6.根据权利要求1所述的一种MOS型功率器件，其特征在于：相对的第一阱(301)杂质浓度峰值区域边缘与门极电极边缘所在的平面是隔开的。

7.根据权利要求1所述的一种MOS型功率器件，其特征在于：所述门极(308)是N型多晶硅或金属。

8.一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一具备第一导电类型的第一半导体层作为集电区(304)，第二导电类型的第二半导体层作为漂移区(303)，第二导电类型半导体层位于第一导电类型的第一半导体层上方；

第一绝缘层(305)位于第二导电类型漂移区(303)上面并且部分地覆盖第二导电类型的第二半导体层，并在第一绝缘层(305)上制作一门极(308)；

将掩膜层完全覆盖到门极上，用100keV到5MeV之间的能量进行第一导电类型杂质离子注入，并进行扩散形成第一阱(301)，第一阱(301)体内具有一导电杂质浓度峰值区域，第一阱(301)的导电杂质浓度从导电杂质浓度峰值区域到第一阱(301)的边缘呈递减趋势，第一阱(301)的结弯曲中心在体内，第一阱(301)的结深为：2um到15um，第一阱(301)在第二导电类型漂移区(303)表面形成的沟道长度为：1um到10um；

在第一阱(301)选择性的参杂具有第二导电类型的源区(302)；

在门极(308)以及部分第二导电类型源区(302)上垫积第二绝缘层(307)；

在第二绝缘层(307)以及部分第一阱(301)和部分第二导电类型源区(302)上垫积发射极电极(309)；

在第一导电类型集电区(304)背面制作金属电极作为集电区电极(310)。

9.根据权利要求8所述的一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于：所述第一导电类型为P型；第二导电类型为N型。

10.根据权利要求9所述的一种MOS型功率器件的制造方法，其特征在于：所述第二导电类型源区(302)浓度高于第二导电类型漂移区(303)浓度。