[发明专利]制造磁性器件的方法和设备无效

专利信息
申请号: 201010185945.7 申请日: 2010-05-27
公开(公告)号: CN101901868A 公开(公告)日: 2010-12-01
发明(设计)人: 桑杰·辛德;小平吉三;古用太郎 申请(专利权)人: 佳能安内华股份有限公司
主分类号: H01L43/12 分类号: H01L43/12
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 制造 磁性 器件 方法 设备
【权利要求书】:

1.一种制造磁性器件的方法,该方法包括:

制备包括至少一个磁性层或反磁性层的结构;和

使用非有机材料的掩模,通过碳氢化合物气体与惰性气体的混合气体的等离子体加工所述结构,以干法蚀刻所述磁性层或反磁性层。

2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述碳氢化合物气体包括烯烃、炔烃、芳烃、胺或腈气体,或者它们两种或多种的混合物。

3.根据权利要求1所述的方法,其中,所述惰性气体包括氮气,或者He、Ne、Ar、Kr或Xe气体。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述混合气体包括乙烯气体和氮气。

5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述掩模为包括Ta、Ti、Al或Si,或者Ta、Ti、Al或Si的氧化物,或者Ta、Ti、Al或Si的氮化物的单层或多层。

6.根据权利要求1所述的方法,其中,所述混合气体包括相对于所述混合气体的总体积为0体积%至95体积%范围内的惰性气体。

7.一种制造磁性器件的设备,该设备包括:

膜形成单元,所述膜形成单元用于在基板上形成磁性层或反磁性层;和

干法蚀刻单元,所述干法蚀刻单元包括设置有腔室的等离子体产生装置、在所述腔室中的基板保持架、用于将气体导入所述腔室的气体导入装置、用于产生气体的等离子体的等离子体产生装置、用于从所述气体的等离子体提取离子并将所述提取的离子导向所述基板保持架的偏压施加装置和控制器,

其中,所述控制器控制干法蚀刻单元,以通过所述气体导入装置将碳氢化合物气体与惰性气体的混合气体导入所述腔室,通过等离子体产生装置产生所述导入气体的等离子体并从所述气体的等离子体提取离子并将所述提取的离子导向所述基板保持架。

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