[发明专利]一种非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法无效
| 申请号： | 201010179872.0 | 申请日： | 2010-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101866838A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 花国然;王强;张华;罗辰;顾江;陈宏 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 吴静安 |
| 地址： | 226019 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非晶硅 薄膜 可控 同质 外延 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法，其特征在于首先将经化学气相沉积制得的具有单晶体或多晶体衬底的非晶硅薄膜置于具有惰性气体的保护性容器中；然后用波长为1.00～1.10微米的脉冲激光，通过调整光斑尺寸，使之产生正离焦量方向的一个1×1cm2的光斑，用以对所述薄膜加热进行结晶退火，在保持输出功率不变的情况下，通过调整脉冲宽度与脉冲周期的比例即占空比，达到所述薄膜外延生长的晶粒尺寸要求。
2.根据权利要求1所述的一种非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法，其特征在于所述脉冲激光的频率为4～25Hz、脉宽为0.5～2ms，加热时间30～90s。
3.根据权利要求2所述的一种非晶硅薄膜可控同质外延生长的方法，其特征在于所述惰性气体包括氮气或氩气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
