[发明专利]一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法

权利要求书

1.一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将P型多晶硅片清洗后，再以三氯氧磷为源扩磷，然后用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层，得扩磷后的多晶硅片；

2)在扩磷后的多晶硅片的N型层上光刻出圆形传输线模型图形，再生长氧化锌掺铝薄膜，得样品；

3)将样品浸泡在丙酮中，剥离多晶硅片N型层上的光刻胶后，退火，得掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触。

2.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述P型多晶硅片的电阻率为0.5～3.0Ω·cm。

3.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述清洗的流程为：先将P型多晶硅片在去离子水中冲洗至少1遍，去除可见颗粒，再放入III号液中煮沸，冷却后倒掉残液，再用去离子水冲洗至少1遍后，放入腐蚀液中，腐蚀后用去离子水冲洗至少1遍后，放入II号液中，再水浴，倒掉残液，再用去离子水冲洗至少1遍后烘干；然后，以三氯氧磷为源扩磷，再用氢氟酸腐蚀去表面的磷硅玻璃层；所得扩磷后的多晶硅片的方块电阻为20Ω/□～50Ω/□；所述III号液为浓H₂SO₄∶H₂O₂＝4∶1；所述腐蚀液为HF∶HNO₃＝1∶3，所述II号液为HCl∶H₂O₂∶H₂O＝1∶2∶8。

4.如权利要求3所述的一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述腐蚀的速率为1μm/s。

5.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述烘干的温度为120～130℃，烘干的时间为30min。

6.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述扩磷的温度为850～1050℃，扩磷的时间为3～10min。

7.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，其特征在于在步骤2)中，所述氧化锌掺铝薄膜的厚度为100～180nm。

8.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述退火在微机扩散炉内退火。

9.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，其特征在于在步骤3)中，所述退火是在氮气保护下退火。

10.如权利要求1所述的一种掺铝氧化锌重掺杂N型硅欧姆接触的制备方法，其特征在于在步骤3)中，退火的温度为350～600℃，退火的时间为2.5～15min。