[发明专利]对正极活性材料和/或正极进行表面包覆的方法以及正极和电池的制备方法

权利要求书

1.一种对正极活性材料和/或正极进行表面包覆的方法，其特征在于，该方法包括采用原子层沉积技术在锂电池正极活性材料的表面和/或正极的表面沉积表面修饰物质。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述原子层沉积技术是指将气相前驱体交替地通入反应器中，通过化学吸附和化学反应在位于反应器中的待沉积基体上形成沉积膜的技术。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述原子层沉积技术包括如下步骤：

(a)将待包覆基体，即正极活性材料和/或正极，放入反应器中；

(b)向反应器中通入第一种气相前驱体使其饱和吸附到待包覆基体的表面；

(c)用载体清洗反应器中过量的第一种气相前驱体；

(d)向反应器中通入第二种气相前驱体，使其与吸附到基体表面的第一种气相前驱体发生反应并将反应产物沉积在待包覆基体的表面；

(e)用载气清洗反应器中过量的第二种气相前驱体；

(f)重复上述步骤(b)-(e)直到沉积的表面修饰物质的厚度达到指定值。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述原子层沉积技术的沉积温度为25-500℃，所述表面修饰物质的厚度为0.1-20纳米。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，所述表面修饰物质选自石墨、石墨化材料、Si、Pt、Ru、Ir、Pd、Cu、Fe、Co、Ni、W、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅、Nb₂O₅、ZrO₂、HfO₂、SiO₂、In₂O₃、ZnO、MgO、La₂O₃、Y₂O₃、CeO₂、Sc₂O₃、Cr₂O₃、Er₂O₃、VO₂、B₂O₃、Co₂O₃、CuO、Fe₂O₃、NiO、Ca₂O₃、WO₃、AlN、TiN、MoN、ZrN、HfN、GaN、InN、CaF₂、SrF₂、ZnF₂、TiF₃、LiF、FeF₃、氟掺杂的氧化锡、铝掺杂的氧化锌和锡掺杂的氧化铟中的一种或多种。