[发明专利]一种垂直喷淋式MOCVD反应器

权利要求书

1.一种垂直喷淋式MOCVD反应器，包括反应室、设于反应室顶部的喷淋头及其冷却水进、出口、设于反应室底部的衬底托、加热器及出气口，用于输入反应气体的进气口设于喷淋头之内，其特征在于：所述喷淋头腔体相隔形成三个以上独立区域，各独立区域分别设有各自独立的进气口；喷淋头的轴向中心贯穿设有一转轴，喷淋头与转轴联动；复数个衬底托相对孤立呈环状排布于反应室底部。

2.根据权利要求1所述的一种垂直喷淋式MOCVD反应器，其特征在于：所述喷淋头为圆盘形状，其喷淋头腔体分为上、下两层，所述上层喷淋腔由隔板相隔形成三个以上独立区域，各独立区域项面分别开设有独立的进气口；所述下层喷淋腔为实体结构，并于其上贯通上层喷淋腔及反应室设有密布的喷管。

3.根据权利要求2所述的一种垂直喷淋式MOCVD反应器，其特征在于：所述喷淋头上层喷淋腔由隔板相隔形成四个扇形的独立区域。

4.根据权利要求3所述的一种垂直喷淋式MOCVD反应器，其特征在于：所述上层喷淋腔根据不同反应气体与载气的体积配比形成两个容积相对另两个容积较大的四个扇形的独立区域，所述四个独立区域的容积两两相等，间隔排布。

5.根据权利要求1所述的一种垂直喷淋式MOCVD反应器，其特征在于：所述喷淋头对应下方衬底托各环之间的位置设有用于隔断气体的柱面体形的环形栅板。

6.根据权利要求5所述的一种垂直喷淋式MOCVD反应器，其特征在于：所述环形栅板的数量对应于衬底托的排布环数少一块。

7.根据权利要求1所述的一种垂直喷淋式MOCVD反应器，其特征在于：所述转轴外围设有四层对应不同反应气体的套管，且所述喷淋头腔体相隔形成四个独立区域，并在套管底部与喷淋头腔体的交界面上开设有对应于各套管相互独立的四个扇环形进气口。

8.根据权利要求1所述的一种垂直喷淋式MOCVD反应器，其特征在于：所述加热器一一对应设于各衬底托内，且并行连接到总控制器。

9.根据权利要求1或8所述的一种垂直喷淋式MOCVD反应器，其特征在于：所述衬底托包括空心套筒、设于空心套筒顶面的石墨托盘及设于空心套筒内的加热器，其中所述石墨托盘表面设有用于放置基片的凹槽。