[发明专利]表面官能团化二氧化硅水溶性改性量子点及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010165656.0 申请日: 2010-05-07
公开(公告)号: CN101805613A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 常津;崔叶;张琦;宫晓群;成靖;杨秋花;朱盛疆;郭伟圣 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: C09K11/88 分类号: C09K11/88
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 王丽
地址: 300072 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 表面 官能团 二氧化硅 水溶性 改性 量子 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.表面官能团化二氧化硅水溶性改性量子点,其特征在于:所述量子点纳米颗粒的结构由内向外可以分为四部分,第一部分为CdSe核量子点;第二部分为和表面包覆的CdS/[CdxZn1-xS]y-1/ZnSy结构的过渡壳层结构;第三部分为量子点表面包覆的二氧化硅层;第四部分为二氧化硅层表面由功能化硅烷形成的官能团化二氧化硅层;其中:中间层CdxZn1-xS中,x取值为大于0且小于1;并且随着壳层y增加,x值以递减。

2.根据权利要求1所述表面官能团化二氧化硅水溶性改性量子点,其特征在于所述量子点的壳层y为3~15。

3.根据权利要求1所述表面官能团化二氧化硅水溶性改性量子点,其特征在于所述量子点壳层y为5、7或9;所述x取值为0.75、0.5或0.25。

4.根据权利要求1所述表面官能团化二氧化硅水溶性改性量子点,其特征在于所述二氧化硅水溶性改性后核壳结构量子点的粒径为10~50nm,发射波长500~750nm,半峰宽20~60nm,量子产率0.4~0.9。

5.权利要求1的表面官能团化二氧化硅水溶性改性量子点制备方法,其特征在于包括以下四步,(1)制备CdSe核量子点;(2)通过控制前体溶液配比使合金层以逐步过渡形式对CdSe核量子点进行多层包壳,制得CdSe/CdS1/[CdxZn1-xS]y-1/ZnSy结构的核壳结构量子点;(3)取CdSe/CdS1/[CdxZn1-xS]y-1/ZnSy结构的核壳结构量子点进行二氧化硅水溶性改性;(4)向二氧化硅改性反应体系中加入不同的功能化硅烷进行表面官能团。

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