[发明专利]共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存

权利要求书

1.一种共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，其特征在于，包括：

半导体衬底，其上具有间隔设置的源极区域和漏极区域；

沟道区，位于所述源极区域和漏极区域之间；

第一位线和第二位线，分别连接于所述源极区域和漏极区域；

纳米晶存储单元，位于所述沟道区上方；

字线，位于所述纳米晶存储单元上方，所述字线两侧具有弧形结构延伸至 所述第一位线和第二位线上方，并通过绝缘层与所述第一位线和第二位线顶部 相隔离；

第一控制栅和第二控制栅，分别设置于所述纳米晶存储单元和字线两侧， 其中，所述纳米晶存储单元包括第一存储单元和第二存储单元，所述第一存储 单元邻近第一控制栅，所述第二存储单元邻近第二控制栅。

2.根据权利要求1所述的共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，其特征在 于，分别对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅、所述第一位线和所 述第二位线施加第一存储位单元读取电压，实现第一存储位单元读取。

3.根据权利要求2所述的共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，其特征在 于，对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅、所述第一位线和所述第 二位线施加的第一存储位单元读取电压分别为2.5V、2V、4V、0V和0.8V，实 现第一存储位单元读取。

4.根据权利要求1所述的共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，其特征在 于，分别对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅、所述第一位线和所 述第二位线施加第二存储位单元读取电压，实现第二存储位单元读取。

5.根据权利要求4所述的共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，其特征在 于，对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅、所述第一位线和所述第 二位线施加的第二存储位单元读取电压分别为2.5V、4V、2V、0.8V和0V，实 现第二存储位单元读取。

6.根据权利要求1所述的共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，其特征在 于，分别对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅、所述第一位线和所 述第二位线施加第一存储位单元编程电压，实现第一存储位单元编程。

7.根据权利要求6所述的共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，其特征在 于，对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅、所述第一位线和所述第 二位线施加的第一存储位单元编程电压分别为1.4V、8V、5V、0V和5V，实 现第一存储位单元编程。

8.根据权利要求1所述的共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，其特征在 于，分别对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅、所述第一位线和所 述第二位线施加第二存储位单元编程电压，实现第二存储位单元编程。

9.根据权利要求8所述的共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，其特征在 于，对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅、所述第一位线和所述第 二位线施加的第二存储位单元编程电压分别为1.4V、5V、8V、5V和0V，实 现第二存储位单元编程。

10.根据权利要求1所述的共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，其特征在 于，分别对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅、所述第一位线和所 述第二位线施加存储位单元擦除电压，实现第一存储位单元和第二存储位单元 擦除。

11.根据权利要求10所述的共享字线的无触点纳米晶分栅式闪存，其特征 在于，对所述字线、所述第一控制栅、所述第二控制栅、所述第一位线和所述 第二位线施加的存储位单元擦除电压分别为0V、10.5V、10.5V、10.5V和10.5V， 实现第一存储位单元和第二存储位单元擦除。