[发明专利]一种硅太阳能电池工程用数学模型的建模方法无效
| 申请号: | 201010154511.0 | 申请日: | 2010-04-26 |
| 公开(公告)号: | CN101833602A | 公开(公告)日: | 2010-09-15 |
| 发明(设计)人: | 周林;傅望;郭珂;刘强;秦代春;代璐;黄勇 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
| 主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
| 代理公司: | 重庆中之信知识产权代理事务所 50213 | 代理人: | 袁庆民 |
| 地址: | 400044 重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 工程 数学模型 建模 方法 | ||
1.一种硅太阳能电池工程用数学模型的建模方法,其建模参数包括在标准测试条件下测得的硅太阳能电池I-V特性曲线中的短路电流(Isc),开路电压(Voc)、最大功率点电流(Im)和最大功率点电压(Vm),其特征在于,该建模方法包括如下步骤:
(一)以所述短路电流(Isc)为质点平抛的起点、以所述开路电压(Voc)为质点运动的终点,建立与所述硅太阳能电池I-V特性曲线对应的、其纵轴(Y)对应电流(I)、其横轴(X)对应电压(V)的质点平抛运动轨迹曲线的坐标系;在对应所述最大功率点电压(Vm)处和小于该最大功率点电压(Vm)的电压处取两个分界点,用过这两个分界点纵坐标把该坐标系分为不同重力场,其中,在小于该最大功率点电压(Vm)分界点的一侧,为质点加速度忽略不计而设为0的无重力场(g0)区,在等于两个分界点的电压值之间为质点慢降重力场(g1)区,在大于该最大功率点电压(Vm)分界点的一侧为质点快降重力场(g2)区;
其中,所述小于最大功率点电压(Vm)的电压计算式为x·Vm,式中0≤x<1;
(二)用所述硅太阳能电池I-V特性曲线中的短路电流(Isc),开路电压(Voc)、最大功率点电流(Im)和最大功率点电压(Vm)作为与该质点平抛运动轨迹曲线坐标系对应的关键坐标,推导所述质点慢降重力场(g1)和质点快降重力场(g2)的公式,得:
(三)根据该质点平抛运动轨迹曲线,推导对应的硅太阳能电池工程用数学模型,得:
式中,V为硅太阳能电池的输出电压,I0为0<V<x·Vm的硅太阳能电池的输出电流,I1为x·Vm≤V≤Vm时硅太阳能电池的输出电流,I2为Vm<V<Voc时硅太阳能电池的输出电流。
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