[发明专利]磁场产生及控制电路无效
| 申请号: | 201010153584.8 | 申请日: | 2010-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN102237842A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
| 发明(设计)人: | 贺涛 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H02P13/00 | 分类号: | H02P13/00 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁场 产生 控制电路 | ||
1.一种磁场产生及控制电路,包括电源以及线圈,其特征在于,该磁场产生及控制电路还包括:
路径切换电路,位于线圈以及电源之间并分别与之电连接;
路径控制电路,用于控制路径切换电路进行切换使得线圈与电源形成第一电流回路或第二电流回路;其中,当形成第一电流回路时,线圈的第一端、第二端与电源的正极、负极分别电连接,线圈产生第一磁场,当形成第二电流回路时,线圈的第一端、第二端与电源的负极、正极分别电连接,线圈产生第二磁场;
第一调节电路,位于第一电流回路中,用于调节第一电流回路的电流大小从而相应地调节第一磁场的磁场强度大小;
第二调节电路,位于第二电流回路中,用于调节第二电流回路的电流大小从而相应地调节第二磁场的磁场强度大小。
2.如权利要求1所述的磁场产生及控制电路,其特征在于,该路径切换电路为一双刀双掷开关,包括两个静触点、两个常开端以及两个常闭端。
3.如权利要求2所述的磁场产生及控制电路,其特征在于,该双刀双掷开关的第一、第二静触点分别与线圈的第一端、第二端电连接,双刀双掷开关的第一常开端与电源的正极电连接,第二常开端通过第一调节电路与电源的负极电连接;双刀双掷开关的第一常闭端与电源的负极电连接,第二常闭端通过第二调节电路与电源的正极电连接。
4.如权利要求3所述的磁场产生及控制电路,其特征在于,该路径控制电路包括一输入端、一光耦合器以及一控制线圈,该输入端通过第一电阻与光耦合器的第一输入端电连接,光耦合器的第一输入端还通过一第二电阻与一高电平端电连接,光耦合器的第二输入端还直接与输入端电连接,光耦合器的第一输出端通过第三电阻与高电平端电连接,光耦合器的第二输出端与一NPN三极管的基极电连接,控制线圈位于高电平端与该NPN三极管的集电极之间。
5.如权利要求4所述的磁场产生及控制电路,其特征在于,该路径控制电路的控制线圈与双刀双掷开关构成一继电器。
6.如权利要求5所述的磁场产生及控制电路,其特征在于,当该路径控制电路的输入端输入一低电平信号时,光耦合器的第一输入端从该高电平端获得一高电平,第二输入端与该输入端连接而处于一低电平,从而该光耦合器导通,从而使得该NPN三极管相应导通,位于高电平端与NPN三极管的集电极之间的控制线圈两端具有一电势差而使得线圈中有电流流过,双刀双掷开关的第一、第二静触点此时与第一、第二常开端分别电连接,线圈与电源形成第一电流回路。
7.如权利要求5所述的磁场产生及控制电路,其特征在于,当路径控制电路输入端输入信号为高电平信号时,光耦合器截止,相应地NPN三极管截止,控制线圈中无电流流过,此时双刀双掷开关的第一、第二静触点分别与第一、第二常闭端分别电连接,线圈与电源形成第二电流回路。
8.如权利要求1所述的磁场产生及控制电路,其特征在于,该第一调节电路以及第二调节电路为变阻器,在形成第一电流回路或第二电流回路时,通过调节变阻器的阻值改变流过线圈的电流大小,从而调节第一磁场或第二磁场的磁场强度大小。
9.如权利要求4所述的磁场产生及控制电路,其特征在于,该路径控制电路的输入端还通过一开关以及第四电阻与高电平端电连接,该输入端还通过一第五电阻接地,当开关未导通时,输入端通过第五电阻接地,从而输入端输入低电平信号,当开关导通时,输入端通过第四电阻与高电平端电连接,从而输入端输入高电平信号。
10.如权利要求9所述的磁场产生及控制电路,其特征在于,该开关为拨动开关或按钮开关中的一种。
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