[发明专利]一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法。

背景技术

太阳能电池是利用光伏效应原理把太阳辐射能转换成电能，太阳能电池本质上是一个大面积半导体PN结的二极管。利用卧式扩散炉管在硅基片上进行扩散技术是制作太阳能电池PN结的核心技术。其技术水平的高低直接影响太阳能电池光电转换效率。而硅片的单片片内薄膜电阻均匀性是衡量卧式扩散炉管扩散效果的重要指标。因此，如何提高硅片扩散后片内薄膜电阻均匀性，是业内人士广泛关注的课题。

在太阳能电池制造工艺中，在卧式石英炉管内通入含杂质源的工艺气体(扩散源)，在高温条件下对硅基片进行扩散。炉管的高温，是由炉管外的加热丝进行加热。硅片放置在石英舟上，石英舟放置在炉管内。石英舟在炉管内的位置，决定了硅片受热是否均匀。若石英舟的位置不是在炉管内理论的热量均衡点，硅片受热将不均匀，将会造成硅片的薄膜电阻不均匀。硅片越靠近炉壁，热量吸收越充分，其扩散薄膜电阻值会下降。相反，扩散薄膜电阻会增加。

现有技术存在的不足是：卧式扩散炉管的炉体由于加热丝的加工工艺的差异性，时间使用长后，部分炉丝失效，使炉管内的热量均衡点有所差异，而如果通过重新购买或维护加热炉体，则成本较高。更换也很繁琐。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法，使硅片在炉管内受热均匀，太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性较好，太阳能电池的转换效率较高。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法，所述的太阳能电池具有硅片，硅片通过石英舟内的卡槽放置在石英舟上，放有硅片的石英舟放置在扩散炉管内，扩散炉管加热对硅片进行扩散，所述的改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性的方法包括下列步骤：

i、将经扩散炉管扩散后得到的硅片进行扩散薄膜电阻分布测试；

ii、根据扩散薄膜电阻分布测试，得到硅片的扩散薄膜分布测试数据；

iii、根据硅片的扩散薄膜分布测试数据，调节石英舟的支撑脚高度h或调节石英舟的卡槽位置。

具体地，所述的硅片的扩散薄膜分布测试数据为：硅片上方测试点的扩散薄膜电阻比硅片下方测试点的扩散薄膜电阻高；所述的调节石英舟支撑脚高度的方法为：增高石英舟支撑脚的高度h，使石英舟上硅片的上方更靠近扩散炉管的炉壁。

具体地，所述的硅片的扩散薄膜分布测试数据为：硅片上方测试点的扩散薄膜电阻比硅片下方测试点的扩散薄膜电阻低；所述的调节石英舟支撑脚高度的方法为：降低石英舟支撑脚的高度h，使石英舟上硅片的上方更远离扩散炉管的炉壁。

具体地，所述的硅片的扩散薄膜分布测试数据为：硅片右方测试点的扩散薄膜电阻比硅片左方测试点的扩散薄膜电阻高；所述的调节石英舟的卡槽位置的方法为：石英舟的卡槽位置向硅片右方移动，使石英舟上硅片的右侧更靠近扩散炉管的炉壁。

具体地，所述的硅片的扩散薄膜分布测试数据为：硅片右方测试点的扩散薄膜电阻比硅片左方测试点的扩散薄膜电阻低；所述的调节石英舟的卡槽位置的方法为：石英舟的卡槽位置向硅片左方移动，使石英舟上硅片的右侧更远离扩散炉管的炉壁。

具体地，所述的硅片可进行多次扩散薄膜电阻分布测试，根据多次扩散薄膜分布测试数据，进行石英舟支撑脚高度h的多次调节或石英舟卡槽位置的多次调节。

所述的调节石英舟的支撑脚高度或调节石英舟的卡槽位置均采用重新加工石英舟的方法。

本发明的有益效果是：本发明通过重新加工石英舟的方法，多次调节石英舟的支撑脚高度和石英舟的卡槽位置，来调节石英舟上硅片的位置，使硅片位于扩散炉管的热量均衡点处，硅片上、下、左、右受热均匀，因此，采用本发明的方法，能够改善太阳能电池扩散薄膜电阻片内均匀性，制作出的太阳能电池的扩散薄膜电阻片内均匀性较好，因而其太阳能电池的转换效率较高。而且不用整体更换扩散炉管，成本维护较低。

附图说明

下面结合附图对本发明进一步说明。

图1是本发明中扩散炉管、石英舟及硅片的结构示意图；

图2是本发明调节石英舟的卡槽位置的示意图；

图3是现有技术制作的实施例的太阳能电池扩散薄膜电阻的分布示意图；

图4是采用本发明的方法制作的实施例的太阳能电池扩散薄膜电阻的分布示意图；

其中：1.扩散炉管，2.石英舟，3.硅片。

具体实施方式