[发明专利]一种具有可挠性介电层的内连线有效
| 申请号: | 201010151859.4 | 申请日: | 2010-04-19 |
| 公开(公告)号: | CN102074549A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
| 发明(设计)人: | 罗清郁;林伯俊;陈海清;包天一;眭晓林;余振华 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/532 | 分类号: | H01L23/532;H01L23/485 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 陈红 |
| 地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 可挠性介电层 连线 | ||
1.一种具有可挠性介电层的内连线,其特征在于,包括:
多个介电层形成覆盖于至少包含一个主动组件的一半导体基底之上;
至少一第一内金属介电层在该多个介电层之上,该至少一第一内金属介电层包含一个由导电材料所形成的一第一介层窗,该第一内金属介电层由一聚合物材料所形成;以及
至少一第二内金属介电层在该至少一第一内金属介电层之上,该至少一第二内金属介电层包括填充着导电材料的一第一沟渠所形成的一第一导线,该第一导线与第一介层窗电性连接。
2.根据权利要求1所述的具有可挠性介电层的内连线,其特征在于,该聚合物材料为聚酰亚胺。
3.根据权利要求1所述的具有可挠性介电层的内连线,其特征在于,该多个介电层包括介电常数小于3.0的介电材料。
4.根据权利要求1所述的具有可挠性介电层的内连线,其特征在于,该第一内金属介电层中的该第一介层窗是集成电路的顶部阶介层窗,以及该第二内金属介电层中的该第一导线是集成电路的顶部阶导线。
5.根据权利要求4所述的具有可挠性介电层的内连线,其特征在于,还包括:
一第三内金属介电层形成于该多个介电层和该第一内金属介电层之间,且包括填充导电材料的一第二沟渠而形成一第二导线,该第二导线与该第一介层窗电性连接;
其中该第三内金属介电层由选自于由无掺杂硅酸玻璃、磷掺杂硅酸玻璃、氟掺杂硅酸玻璃、氮化硅、碳氮化硅、氮氧化硅和极低介电常数材料所组成的族群其中之一的材料所形成的。
6.根据权利要求5所述的具有可挠性介电层的内连线,其特征在于,还包括:
一第四内金属介电层形成于该多个介电层和第三内金属介电层之间,且包括由一导电材料所形成的一第二介层窗,该第二介层窗和该第二导线电性连接;
其中该第四内金属介电层由聚酰亚胺材料或极低介电常数材料所形成。
7.根据权利要求1所述的具有可挠性介电层的内连线,其特征在于,该第一内金属介电层的厚度从1500埃到6000埃,该第二内金属介电层的厚度从4000埃到10000埃。
8.根据权利要求1所述的具有可挠性介电层的内连线,其特征在于,还包括:
一蚀刻终止层介于该多个介电层和该第一内金属介电层之间;以及
一粘着促进剂介于该蚀刻终止层和该第一内金属介电层之间。
9.根据权利要求1所述的具有可挠性介电层的内连线,其特征在于,该第二内金属介电层由聚酰亚胺材料所形成。
10.根据权利要求1所述的具有可挠性介电层的内连线,其特征在于,还包括:
一保护层位于该第二内金属介电层之上;以及
一焊垫位于该保护层之上且该焊垫与该第一导线电性连接。
11.根据权利要求1所述的具有可挠性介电层的内连线,其特征在于,该第一导线是由铜所形成,其中该第一介层窗是由铜所形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010151859.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





