[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

对接合衬底照射离子，从而在所述接合衬底中形成脆化区；

在具有绝缘表面的基底衬底上形成导电层；

将所述接合衬底和所述导电层粘合在一起且在所述接合衬底和所述导电层之间隔着绝缘层；

对所述接合衬底进行加热，并且在所述脆化区中分离所述接合衬底，从而在所述基底衬底上形成所述导电层、所述绝缘层以及半导体层的叠层结构；

对所述半导体层进行图案化，并且形成岛状半导体层；

在所述岛状半导体层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅电极；

形成第一杂质区、第二杂质区、以及第三杂质区；以及

形成电连接到所述第一杂质区的第一电极和电连接到所述第二杂质区的第二电极，

其中，在沟道形成区和所述第二杂质区之间设置所述第三杂质区。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在所述接合衬底上形成保护绝缘层，其中，穿过所述保护绝缘层而对所述接合衬底添加所述离子。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第三杂质区的杂质浓度低于所述第二杂质区的杂质浓度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一杂质区和所述第二杂质区的杂质浓度各为大于或等于1×10¹⁹atoms/cm³，并且，所述第三杂质区的杂质浓度为大于或等于5×10¹⁶atoms/cm³。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述接合衬底为单晶硅衬底或者单晶碳化硅衬底。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电层配置成当在所述第一杂质区和所述第二杂质区之间施加电压时减少接合区周边的电场，并且，

其中，所述接合区是所述沟道形成区和所述第二杂质区彼此接合的区域。

7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

对接合衬底照射离子，从而在所述接合衬底中形成脆化区；

在所述接合衬底上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成导电层上；

在所述导电层上形成第二绝缘层；

在基底衬底上形成第三绝缘层；

将所述第二绝缘层粘合到所述第三绝缘层；

对所述接合衬底进行加热，并且在所述脆化区中分离所述接合衬底，从而在所述基底衬底上形成所述第三绝缘层、所述第二绝缘层、所述导电层、所述第一绝缘层以及半导体层的叠层结构；

对所述半导体层进行图案化，来形成岛状半导体层；

在所述岛状半导体层上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅电极；

形成第一杂质区、第二杂质区、以及第三杂质区；以及

形成电连接到所述第一杂质区的第一电极和电连接到所述第二杂质区的第二电极，

其中，在沟道形成区和所述第二杂质区之间设置所述第三杂质区。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，在形成所述第一绝缘层的步骤之前、在形成所述第一绝缘层的步骤之后、在形成所述导电层的步骤之后、或者在形成所述第二绝缘层的步骤之后，进行照射离子的步骤。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，还包括如下步骤：在所述接合衬底上形成保护绝缘层，其中，穿过所述保护绝缘层而对所述接合衬底添加所述离子。

10.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第三杂质区的杂质浓度低于所述第二杂质区的杂质浓度。

11.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，所述第一杂质区和所述第二杂质区的杂质浓度各为大于或等于1×10¹⁹atoms/cm³，并且，

其中，所述第三杂质区的杂质浓度为大于或等于5×10¹⁶atoms/cm³。

12.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中，所述接合衬底为单晶硅衬底或者单晶碳化硅衬底。