[发明专利]通孔形成方法

权利要求书

1.一种通孔形成方法，包括：

提供刻蚀腔室和晶片，在刻蚀腔室中包括用于放置晶片的静电卡盘，所述静电卡盘上具有吸附电极，当向所述吸附电极施加电压，则吸附电极产生将晶片向静电卡盘方向吸附的力，所述晶片包括介质层和位于介质层上的掩膜图形；

预先测量利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质层中形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压；

其特征在于，还包括步骤：

根据第二目标尺寸相对于第一目标尺寸的变化量、形成第一目标尺寸通孔所需要的吸附电极电压，以及所述目标尺寸变化量和所述吸附电极电压变化量之间的函数关系，得到形成第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压；

在所述第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压下，利用所述刻蚀腔室刻蚀，在介质层中形成第二目标尺寸的通孔。

2.根据权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，所述刻蚀为等离子体刻蚀。

3.根据权利要求2所述的通孔形成方法，其特征在于，所述目标尺寸变化量小于等于10纳米，所述第二目标尺寸通孔所需的吸附电极电压为5V至20V。

4.根据权利要求2所述的通孔形成方法，其特征在于，刻蚀形成第二目标尺寸和第一目标尺寸通孔时，除吸附电极的电压之外的刻蚀参数及掩膜图形完全相同。

5.根据权利要求4所述的通孔形成方法，其特征在于，所述目标尺寸变化量和所述吸附电极电压变化量的之间的函数关系为：

所述目标尺寸的变化量＝-m×所述吸附电极电压变化量，m为正数。

6.根据权利要求5所述的通孔形成方法，其特征在于，所述m等于0.2至0.6，所述目标尺寸变化量单位为纳米，所述吸附电极电压变化量单位为伏特。

7.根据权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，所述静电卡盘为圆形，所述吸附电极包括至少三条沿静电卡盘的直径方向分布的条带状电极，且依次呈相等的角。

8.根据权利要求1所述的通孔形成方法，其特征在于，所述静电卡盘为圆形，所述吸附电极包括至少三条经过圆心的曲线状电极。