[发明专利]用于化学机械平面化的多步骤、原位垫修整系统

权利要求书

1.一种用于在单研磨台执行多步骤研磨的化学机械平面化系统，所述化学机械平面化系统包括：

研磨垫，其用于与半导体晶片表面相互作用，以从其表面去除不需要的材料；

修整装置，其布置在所述研磨垫的至少一个部分的上方，所述修整装置包括磨蚀、有缝隙的修整盘和真空辅助部件，所述磨蚀、有缝隙的修整盘用于磨蚀所述研磨垫以移去碎屑，所述真空辅助部件用于当产生移去的碎屑时去除其；以及

分配器，其用于以受控的方式将多种研磨液引入到清洁的研磨垫上，其中，由所述修整装置执行的修整用于在每一研磨操作期间从所述研磨垫去除污染物，因此提供清洁的研磨垫表面用于每一平面化操作，且防止研磨浆间的交叉污染。

2.如权利要求1所述的化学机械平面化系统，其中，所述分配器进一步能够将多种修整试剂引入到所述修整装置，以帮助在所述研磨垫表面进行的清洁操作。

3.如权利要求1所述的化学机械平面化系统，其中，所述分配器包括至少一中和修整试剂，以用于阻止不同化学性质的研磨浆间的交叉污染。

4.如权利要求1所述的化学机械平面化系统，其中，所述分配器包括修整试剂，以显示出与保持在所述研磨垫表面的期望的操作温度有关的预定温度。

5.如权利要求1所述的化学机械平面化系统，其中，所述分配器包括修整试剂，所述修整试剂包括表面活性剂元素，以降低碎屑微粒和所述研磨垫表面间的电引力。

6.如权利要求1所述的化学机械平面化系统，其中，所述分配器从多源引入研磨浆。

7.一种用于在单研磨台执行多步骤研磨的化学机械平面化系统，所述化学机械平面化系统包括：

研磨垫，其用于与半导体晶片表面相互作用，以从其表面去除不需要的材料；

修整装置，其布置在所述研磨垫的至少一个部分的上方，所述修整装置包括：

分配器，其用于以受控的方式将研磨材料或修整材料引入到所述研磨垫的表面；

磨蚀、有缝隙的修整盘，其用于磨蚀所述研磨垫以移去碎屑和清理所述研磨垫的表面；和

真空辅助部件，其用于当产生碎屑时，通过所述有缝隙的修整盘去除所移去的碎屑，其中，所述修整装置在各研磨操作期间去除污染物。

8.如权利要求7所述的化学机械平面化系统，其中，所述修整装置用于对多步骤研磨制程中的各顺序步骤提供清洁的研磨垫表面，因此防止分配到所述研磨垫的表面的研磨材料或修整材料间的交叉污染。