[发明专利]一种氯化亚铜晶体的生长方法无效
| 申请号： | 201010139513.2 | 申请日： | 2010-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN102191546A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 潘建国;赵玲燕;崔玉杰;陈素珍;陈红兵;李星 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B7/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氯化 晶体 生长 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氯化亚铜电光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为CuCl，属于立方晶系。分子量为：99
2.如权利要求1所述的氯化亚铜电光晶体，该晶体采用降温法生长，生长的溶剂为含卤离子的离子液体。
3.如权利要求2所述的含卤离子的离子液体，其特征在于：阳离子为咪唑、吡啶、吡咯、季铵、季膦等类离子，阴离子为氟、氯、溴、碘等离子。熔点在0-200度之间。
4.如权利要求1所述的氯化亚铜电光晶体，其特征在于：利用含卤离子的离子液体配制饱和的氯化亚铜生长溶液。生长的温度在30-200度之间。降温速度为0.1-5度/天。
5.如权利要求1所述的氯化亚铜电光晶体的用途，其特征在于：该晶体用于激光调Q、光电子技术等方面。
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