[发明专利]一种培育菊芋杂交种子获得菊芋杂交种植株和块茎的方法无效

专利信息
申请号: 201010137271.3 申请日: 2010-03-31
公开(公告)号: CN101803572A 公开(公告)日: 2010-08-18
发明(设计)人: 刘建全;曾军;寇一翾 申请(专利权)人: 兰州大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;A01G1/00
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅
地址: 730000 甘肃省兰州市天水南路22*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 培育 菊芋 杂交 种子 获得 杂交种 植株 块茎 方法
【权利要求书】:

1.一种培育菊芋杂交种子获得菊芋实生苗的方法,包括如下步骤:组织培养菊 芋杂交种子获得菊芋实生苗;

所述组织培养的方法包括如下步骤:

1)将所述菊芋杂交种子消毒,获得消毒的菊芋杂交种子;

所述消毒包括如下步骤:将所述菊芋杂交种子去皮,置于洗涤剂和水的混合溶液 中浸泡1-2h,流水冲洗1-3h,然后用体积百分含量为75%的乙醇水溶液浸泡10-30s, 无菌水冲洗,再用有效氯含量为5%的次氯酸钠水溶液消毒3-6min,无菌水冲洗,再用 质量百分含量为0.1%的氯化汞水溶液灭菌1-4min,无菌水冲洗;所述洗涤剂和水的混 合溶液中洗涤剂和水的体积比为(0.5-4)∶100;

2)将所述消毒的菊芋杂交种子接种于MS培养基中,4℃处理12-36h,然后在温 度为20℃-23℃且避光的条件下培养10-30天,得到菊芋实生苗;

3)扩繁:将所述菊芋实生苗切成具芽的茎段,将具芽的茎段转接于添加α-萘乙 酸的1/2MS培养基中,在温度为20℃-25℃、光强2500-3000lux且光照时间为14h/ 天的条件下培养,得到菊芋实生苗;

所述添加α-萘乙酸的1/2MS培养基由1/2MS培养基和α-萘乙酸组成,1/2MS 培养基和α-萘乙酸的配比为1L∶(0.05mg-0.15mg);

所述1/2MS培养基的组成成分与MS培养基相同,其中,大量元素在1/2MS培养 基中的浓度为其在MS培养基中浓度的1/2,微量元素在1/2MS培养基中的浓度为其在 MS培养基中浓度的1/2,其余组成成分在1/2MS培养基中的浓度与其在MS培养基中浓 度相同。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:

步骤2)中,所述4℃处理的时间为24h、12h或36h,所述温度为22℃、20℃或 23℃,所述培养的时间为20天、10天或30天;

步骤3)中,所述温度为23℃、20℃或25℃,所述光强为2500lux或3000lux;

步骤3)中,所述1/2MS培养基和α-萘乙酸的配比为1L∶0.1mg,1L∶0.05mg 或1L∶0.15mg。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于:所述消毒为如下1)、2)或 3)所示:

1)将所述菊芋杂交种子去皮,置于洗涤剂和水的混合溶液中浸泡1.5h,流水冲 洗3h,然后用体积百分含量为75%的乙醇水溶液浸泡20s,无菌水冲洗,再用有效氯 含量为5%的次氯酸钠水溶液消毒4min,无菌水冲洗,再用质量百分含量为0.1%的氯 化汞水溶液灭菌2min,无菌水冲洗;所述洗涤剂和水的混合溶液中洗涤剂和水的体 积比为2∶100;

2)将所述菊芋杂交种子去皮,置于洗涤剂和水的混合溶液中浸泡1h,流水冲洗 1h,然后用体积百分含量为75%的乙醇水溶液浸泡10s,无菌水冲洗,再用有效氯含 量为5%的次氯酸钠水溶液消毒3min,无菌水冲洗,再用质量百分含量为0.1%的氯化 汞水溶液灭菌1min,无菌水冲洗;所述洗涤剂和水的混合溶液中洗涤剂和水的体积比 为0.5∶100;

3)将所述菊芋杂交种子去皮,置于洗涤剂和水的混合溶液中浸泡2h,流水冲洗 3h,然后用体积百分含量为75%的乙醇水溶液浸泡30s,无菌水冲洗,再用有效氯含 量为5%的次氯酸钠水溶液消毒6min,无菌水冲洗,再用质量百分含量为0.1%的氯化 汞水溶液灭菌4min,无菌水冲洗;所述洗涤剂和水的混合溶液中洗涤剂和水的体积比 为4∶100。

4.一种培育菊芋杂交种子获得菊芋植株的方法,包括如下步骤:

a)按照权利要求1-3中任一所述方法培养菊芋杂交种子,获得菊芋实生苗;

b)将所述菊芋实生苗进行炼苗和移栽,得到菊芋杂交种植株。

5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于:所述方法中,在所述步骤b)后, 包括将所述菊芋杂交种植株进行田间栽培的步骤。

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