[发明专利]一种催化脱蜡催化剂及其应用

说明书

发明领域

本发明是关于一种催化脱蜡催化剂。

背景技术

由含蜡原料油生产低温下具有良好流动性能的产品，如润滑油、喷气燃料、低凝柴油等，脱蜡是必须的。其中，所述蜡指直链或轻度支链化的烃类化合物，如直链或轻度支链化的长链烷烃、长链烷基芳烃和长链烷基环烷烃。

传统的脱蜡方法为溶剂脱蜡工艺，该工艺的主要缺点是操作成本高。另一种脱蜡方法是催化脱蜡方法，该方法是在含沸石的催化脱蜡催化剂存在下，将含蜡原料油与氢接触，选择性地将蜡分子裂解或异构，从而达到脱蜡的目的。

与溶剂脱蜡工艺相比，催化脱蜡更为经济。缺点是低分子量产物的产率较高，使得目的产物，如润滑油、喷气燃料、低凝柴油的产率较低。

发明内容

本发明要解决的技术问题是在现有技术的基础上，提供一种新的、性能更好的催化脱蜡催化剂。

本发明的发明人在研究中发现，除通过水热处理(如水热处理沸石型分子筛ZSM-5)或改变分子筛类型(如用非沸石型分子筛SAPO-35替换ZSM-5)等使催化剂的性能得到改善外，当采用拟薄水铝石与分子筛混合、焙烧的方法制备催化剂时，拟薄水铝石的性质直接对催化剂性能产生影响。而现有技术提供的拟薄水铝石的n值偏低(通常为0.85-1.05)，是导致脱蜡催化剂，特别是用于重油脱蜡，如润滑油脱蜡，催化剂性能低的原因之一。

本发明提供一种催化脱蜡催化剂，含有具有非一维中孔结构的分子筛、耐热无机氧化物基质和加氢金属组分，其特征在于，所述耐热无机氧化物基质包括一种由拟薄水铝石经焙烧得到的γ-氧化铝，其中，所述拟薄水铝石包括至少一种1.1≤n≤2.5的拟薄水铝石P1；其中n＝D(031)/D(120)，所述D(031)表示拟薄水铝石晶粒的XRD谱图中031峰所代表的晶面的晶粒尺寸，D(120)表示拟薄水铝石晶粒的XRD谱图中120峰所代表的晶面的晶粒尺寸，所述031峰是指XRD谱图中2θ为34-43°的峰，所述120峰是指XRD谱图中2θ为23-33°的峰，D＝Kλ/(Bcosθ)，K为Scherrer常数，λ为靶型材料的衍射波长，B为衍射峰的半峰宽，2θ为衍射峰的位置。

一种催化脱蜡方法，包括在催化脱蜡反应条件下将原料油与催化剂接触，其特征在于，所述催化剂为前述本发明所提供的催化剂。

本发明提供的催化剂的选择性得到较大提高，表现在低分子量产物的产率较低，使得目的产物，如润滑油、喷气燃料、低凝柴油等的产率得到较大提高。

例如，用本发明提供的催化剂对馏程为250-556℃的加氢裂化尾油进行脱蜡，在保持倾点基本相近的情况下，沸点大于320℃的生成油的收率高达49.9-54.3重％，而采用组成相同或相近的现有催化剂时，沸点大于320℃的生成油的收率只有44.6-46.1重％，与采用现有催化剂时相比，沸点大于320℃的生成油的收率提高了3.8-9.7％。

具体实施方式

按照本发明提供催化剂，其中所述P1优选为1.2≤n≤2.2的拟薄水铝石。

所述1.1≤n≤2.5的拟薄水铝石P1的制备方法包括：将含铝化合物溶液与酸或碱接触进行沉淀反应，或者将有机含铝化合物与水接触进行水解反应，得到水合氧化铝；将上述得到的水合氧化铝进行老化，其中，所述含铝化合物溶液与酸或碱的接触或所述有机含铝化合物与水的接触以及水合氧化铝的老化中的任意一个过程在晶粒生长调节剂存在下进行，所述晶粒生长调节剂为能够调节晶粒在不同晶面上的生长速度的物质。

尽管只要使水解反应或沉淀反应以及老化中的任意过程之一在晶粒生长调节剂存在下进行即可实现本发明的目的，但优选情况下，所述水解反应和老化过程或者所述沉淀反应和老化过程均在晶粒生长调节剂存在下进行，这样可以使所得拟薄水铝石的n在优选1.2≤n≤2.2范围内。