[发明专利]钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法

权利要求书

1.一种钛镍银多层金属电力半导体器件电极的制备方法，其特征在于该方法包括以下步骤：

(1)将硅片夹置在电子束蒸发台中的旋转工件盘上，将纯度均为99.99％以上的钛、镍、银三种材料分别放置在电子束蒸发台坩埚中的三个穴位中；

(2)关闭电子束蒸发台工作室门，抽真空至1.0×10^-3Pa，加热升温至200℃；

(3)先将坩埚中装有钛材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发10-15分钟，使硅片的电极面上沉积一层钛金属；然后关断电子束高压开关，调整坩埚中装有镍材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发30-35分钟，使所述钛金属层上沉积一层镍金属；然后关断电子束电流，调整坩埚中装有银材料的穴位处于工作位置，打开电子束高压开关，调整电子束电流至800mA，蒸发30-35分钟，使所述镍金属层上沉积一层银金属；

(4)电子束蒸发台工作室停止加热，降温至100℃时停止抽真空，打开放气阀，取出沉积上钛镍银多层金属的硅片；

(5)将上述硅片放进烧结炉中，抽真空至2.0×10^-3Pa，套上炉体，升温至600℃，恒温60分钟；

(6)移开炉体，降温至200℃时停止抽真空，打开放气阀，取出硅片，降至常温，得到钛镍银多层金属电力半导体器件电极。