[发明专利]半导体激光器及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光器，包括：

层叠结构，包括从衬底侧依次设置的下多层反射镜、有源层和上多层反射镜；

其中所述层叠结构包括柱形台面部，所述柱形台面部包含所述下多层反射镜的上部、所述有源层和所述上多层反射镜；且

所述下多层反射镜包括多对低折射率层和高折射率层以及多个氧化层，所述多个氧化层在除了一个或多个所述低折射率层的中心区域之外的区域中不均匀地分布在围绕所述台面部的中心轴旋转的方向上。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中

所述多个氧化层中的一个或多个包括设置得彼此面对的第一氧化部和第二氧化部，所述台面部的中心轴在所述第一氧化部和第二氧化部之间。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中

在包括所述氧化层的所述低折射率层的厚度方向上的光学距离L₁满足L₁≥λ/4，其中λ表示从所述有源层发射的光的波长。

4.根据权利要求3所述的半导体激光器，其中

所述光学距离L₁满足λ/4≤L₁≤1.4×(λ/4)，且

在邻近包含所述氧化层的所述低折射率层的一个高折射率层的厚度方向上的光学距离L₂满足0.6×(λ/4)≤L₂≤λ/4。

5.根据权利要求4所述的半导体激光器，其中

所述光学距离L₁满足λ/4≤L₁≤1.2×(λ/4)，且

所述光学厚度L₂满足0.8×(λ/4)≤L₂≤λ/4。

6.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中

所述下多层反射镜包括从所述衬底侧依次设置的相对抗氧化的第一多层膜、相对易于氧化的第二多层膜和相对抗氧化的第三多层膜，且

所述氧化层形成在所述第二多层膜中。

7.根据权利要求6所述的半导体激光器，其中

所述第一多层膜包括多对包含Al_x1Ga_1-x1As的低折射率层和包含Al_x2Ga_1-x2As的高折射率层，

所述第二多层膜包括多对低折射率层和包含Al_x8Ga_1-x8As的高折射率层，所述第二多层膜的低折射率层由包含Al_x3Ga_1-x3As的第一折射率层、包含Al_x4Ga_1-x4As的第二折射率层、包含Al_x5Ga_1-x5As的第三折射率层、包含Al_x6Ga_1-x6As的第四折射率层和包含Al_x7Ga_1-x7As的第五折射率层构成；

所述第三多层膜包括多对包含Al_x9Ga_1-x9As的低折射率层和包含Al_x10Ga_1-x10As的高折射率层；且

x1至x10满足由式(1)表示的数学式：

1≥(x4，x6)＞(x1，x3，x5，x7，x9)＞0.8＞(x2，x8，x10)≥0…(1)

8.根据权利要求1所述的半导体激光器，其中

所述下多层反射镜包括从所述衬底侧依次设置的相对易于氧化的第二多层膜和相对抗氧化的第三多层膜；且

所述氧化层形成在该第二多层膜中。