[发明专利]一种实现太阳能电池选择性发射极的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种实现太阳能电池选择性发射极的方法。

背景技术

选择性发射极结构是晶体硅太阳能电池生产工艺中实现高效率的方法之一，选择性发射极结构有两个特征：1)在电池栅线区域形成高掺杂深扩散区；2)在电池非栅线区域形成低掺杂浅扩散区，这两个特征既解决了死层问题，又减少了硅片表面和金属电极之间的接触电阻，从而提高了开路电压、短路电流和填充因子，提高了太阳能电池光电转换的效率。

目前常规实现太阳能选择性发射极的方法为二次扩散的方法，例如：先在硅片表面生长一层二氧化硅薄膜，再腐蚀出栅线形状，再进行磷扩散，这样栅线区域得到深扩散区，后将氧化膜洗掉，再进行浅扩散，非栅线区域形成浅扩散区，这样形成具有高掺杂深扩散区和低掺杂浅扩散区的选择性发射极结构。但这种方法工艺复杂，生产成本较高。有些采用一次扩散法实现选择性发射极的工艺需要在电池表面生成氧化膜后再去掉，工艺复杂，生产成本较高。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：克服现有技术的不足，提供一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，采用这种方法可以使太阳能电池具有选择性发射极，而且其工艺流程简单，生产成本较低。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，用于形成具有选择性发射极的太阳能电池，所述的太阳能电池具有太阳能电池片，太阳能电池片表面分为电池栅线区域和电池非栅线区域，所述的实现太阳能电池选择性发射极的方法具有如下步骤：

a、在太阳能电池片上采用重扩散的方法使太阳能电池片表面形成高掺杂深扩散区；

还具有如下步骤：

b、在电池非栅线区域采用丝网印刷的方式印刷一层可腐蚀硅的腐蚀浆料层，腐蚀浆料层的主要成分为KOH；

c、将太阳能电池片放入温度为200～300℃的反应炉反应10～60秒，电池非栅线区域被腐蚀形成低掺杂浅扩散区，电池栅线区域未被腐蚀保留成高掺杂深扩散区，太阳能电池片形成选择性发射极。

进一步地，所述腐蚀浆料层包括KOH和其他有机成分，KOH在腐蚀浆料层中所占的比例为5％～20％，其他有机成分如丙酸碳酸酯。

本发明的有益效果是：本发明只需一次扩散即所述的重扩散，然后采用丝网印刷的方式印刷腐蚀浆料层来形成低掺杂浅扩散区，电池非栅线区域的方块电阻达到70～100欧姆，而电池栅线区域还是保留不变，采用本发明的方法不需要生成氧化膜，而是直接将腐蚀浆料层印刷在电池非栅线区域进行反应，操作流程简单，生产成本低，而且太阳能电池能够形成选择性发射极，提高了太阳能电池的光电转换效率。

具体实施方式

一种实现太阳能电池选择性发射极的方法，太阳能电池具有太阳能电池片，太阳能电池片表面分为电池栅线区域和电池非栅线区域。

具有如下步骤：

a、在太阳能电池片上采用重扩散的方法使太阳能电池片表面形成高掺杂深扩散区；

b、在电池非栅线区域采用丝网印刷的方式印刷一层可腐蚀硅的腐蚀浆料层，腐蚀浆料层包括KOH和其他有机成分，KOH在腐蚀浆料层中所占的比例为5％～20％，其他有机成分如丙酸碳酸酯；

c、将太阳能电池片放入温度为200～300℃的反应炉反应10～60秒，电池非栅线区域被腐蚀形成低掺杂浅扩散区，电池栅线区域未被腐蚀保留成高掺杂深扩散区，太阳能电池片形成选择性发射极。

本发明操作流程简单，生产成本低，而且太阳能电池能够形成选择性发射极，提高了太阳能电池的光电转换效率。