[发明专利]萤光体及含有该萤光体的发光装置有效

专利信息
申请号: 201010124188.2 申请日: 2010-02-10
公开(公告)号: CN102115670A 公开(公告)日: 2011-07-06
发明(设计)人: 温正雄;庄曜聪;林志龙;庄渊仁 申请(专利权)人: 奇美实业股份有限公司
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;H01J61/00
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 王敏杰;胡红芳
地址: 中国台湾台南*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 萤光 含有 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种萤光体,其特征在于,所述萤光体的通式为Ln3(Al1-xGax)5O12:Re,其中Ln由钇、镧、钆、铽元素群中选择至少一种;Re由铈、铕元素群中选择至少一种,0≤x<1;

其中,所述萤光体还含有硅a ppm、钙b ppm,且20<b<90、30<0.9a+0.1b<700。

2.根据权利要求1所述的萤光体,其特征在于,经过空气气氛下650℃、3小时加热后,辉度保持率为95%以上。

3.根据权利要求1所述的萤光体,其特征在于,经过空气气氛下650℃、3小时加热后,辉度保持率为97%以上。

4.根据权利要求1所述的萤光体,其特征在于,还含有硅a ppm、钙b ppm,且30<b<80、40<0.9a+0.1b<500。

5.根据权利要求1所述的萤光体,其特征在于,所述萤光体可吸收波长范围介于200nm至550nm之间。

6.根据权利要求1所述的萤光体,其特征在于,所述萤光体吸收光后转换所发出的光的主波长介于500nm至600nm之间。

7.一种发光装置,其特征在于,含有:

一半导体发光元件;及

一萤光体,可被所述半导体发光元件发出的光所激发,并转换发出相异于激发光的光;其中,所述萤光体的通式为Ln3(Al1-xGax)5O12:Re,Ln由钇、镧、钆、铽元素群中选择至少一种,Re由铈、铕元素群中选择至少一种,0≤x<1;所述萤光体还含有硅a ppm、钙b ppm,且20<b<90、30<0.9a+0.1b<700。

8.根据权利要求7所述的发光装置,其特征在于,所述发光装置在温度60℃、湿度90%、电流20mA的条件下连续使用500小时后,辉度保持率为90%以上。

9.根据权利要求7所述的发光装置,其特征在于,所述发光装置在温度60℃、湿度90%、电流20mA的条件下连续使用500小时后,辉度保持率为95%以上。

10.根据权利要求7所述的发光装置,其特征在于,其中30<b<80、40<0.9a+0.1b<500。

11.根据权利要求7所述的发光装置,其特征在于,所述萤光体吸收光后转换所发出的光的主波长介于500nm至600nm之间。

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