[发明专利]一种ESD器件无效
| 申请号： | 201010123662.X | 申请日： | 2010-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN101800246A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 张昊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 esd 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种ESD器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
第一导电类型的半导体阱区；
在所述第一导电类型的半导体阱区上定义的多晶硅栅极；
在所述第一导电类型的半导体阱区上的栅极两侧，重掺杂形成的第二导电类型的源区和漏区；
在所述漏区外围的半导体阱区上注入形成的第一导电类型的ESD区域；
在所述漏区两端注入形成的第一导电类型的补偿区；以及
在所述多晶硅栅极与所述源区及部分漏区上形成金属化的硅化物。
2.如权利要求1所述的ESD器件，其特征在于，所述ESD器件为NMOS器件。
3.如权利要求2所述的ESD器件，其特征在于，所述第一导电类型的半导体阱区为P型阱区，所述第二导电类型的源区和漏区为N+型的源区和漏区。
4.如权利要求2所述的ESD器件，其特征在于，形成所述第一导电类型的ESD区域的方式为PESD注入。
5.如权利要求2所述的ESD器件，其特征在于，所述第一导电类型的补偿区为P-型补偿区。
6.如权利要求2所述的ESD器件，其特征在于，所述第一导电类型的补偿区的扩散深度小于所述漏区的扩散深度。
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