[发明专利]一种半导体芯片测试座无效

专利信息
申请号: 201010119447.2 申请日: 2010-02-24
公开(公告)号: CN102004170A 公开(公告)日: 2011-04-06
发明(设计)人: 李彩允 申请(专利权)人: 李诺工业有限公司
主分类号: G01R1/02 分类号: G01R1/02;G01R31/28
代理公司: 北京金信立方知识产权代理有限公司 11225 代理人: 黄威;孙丽梅
地址: 韩国釜*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 芯片 测试
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片测试座,包括:

支撑板,在其中心部具有上下贯通形成的结合孔并呈平板形状;

硅材料部,结合于上述结合孔并具有向上侧突出的突出部;

多个导电硅材料部,在上述突出部垂直排列金属球所形成;

多个柱塞,设置于上述导电硅材料部上部并接触于半导体芯片锡球;

盖,在与上述柱塞所对应的位置形成贯通孔,下部形成容置部以容置上述突出部,并与上述硅材料部相结合以固定上述柱塞;

其中,在上述导电硅材料部,形成从上部面中心向上侧突出的圆筒形突起,而上述柱塞中心部形成插入孔以插入上述圆筒形突起。

2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片测试座,其特征在于:

上述柱塞,包括:

圆筒形主体,贯通形成上述插入孔;

探针突起,形成于上述圆筒形主体上部并接触于半导体芯片的锡球;

挂接部,突出形成于上述圆筒形主体的外周面。

3.根据权利要求2所述的一种半导体芯片测试座,其特征在于:在上述圆筒形主体下部形成半圆锥形下部突起,设置于在导电硅材料部上部面以半圆锥形凹陷形成的凹陷部。

4.根据权利要求1所述的一种半导体芯片测试座,其特征在于:在上述硅材料部上部面,在上述导电硅材料部之间形成凹陷孔。

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