[发明专利]信息记录媒体有效
| 申请号: | 201010113952.6 | 申请日: | 2000-03-10 |
| 公开(公告)号: | CN101872627A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
| 发明(设计)人: | 山田升;児岛理惠;松永利之;河原克巳 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;李家麟 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 信息 记录 媒体 | ||
1.一种信息记录媒体,在基板上具备记录层,该记录层能利用电能或电磁波能在能进行电学或光学检测的状态间产生可逆性相转移,其中,形成所述记录层的记录材料为下述A或B的材料,而且晶格缺陷的至少一部分由构成结晶结构的元素以外的元素镶嵌,所述B成分的可逆性相转移在所述复合相和单一相之间产生:
A.在所述可逆性相变化的一个相中,具有含有晶格缺陷的结晶结构的材料;
B.在所述可逆性相变化的一个相中,形成由含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相,而且所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料。
2.一种信息记录媒体,在基板上具备记录层,该记录层能利用电能或电磁波能在能进行电学或光学检测的状态间产生可逆性相转移,其中,形成所述记录层的记录材料为下述B的材料,而且晶格缺陷的至少一部分由构成结晶结构的元素以外的元素镶嵌,所述B成分的复合相中的所述非结晶相部分相对所述结晶相部分的摩尔比为2.0以下:
A.在所述可逆性相变化的一个相中,具有含有晶格缺陷的结晶结构的材料;
B.在所述可逆性相变化的一个相中,形成由含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相,而且所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料。
3.一种信息记录媒体,在基板上具备记录层,该记录层能利用电能或电磁波能在能进行电学或光学检测的状态间产生可逆性相转移,其中,形成所述记录层的记录材料为下述A或B的材料,而且晶格缺陷的至少一部分由构成结晶结构的元素以外的元素镶嵌,镶嵌所述晶格缺陷的至少一部分的元素的离子半径为Rim、构成所述结晶结构的元素的离子半径的最小值为Rnc时,满足0.7Rnc<Rim≤1.05Rnc的关系:
A.在所述可逆性相变化的一个相中,具有含有晶格缺陷的结晶结构的材料;
B.在所述可逆性相变化的一个相中,形成由含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相,而且所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料。
4.一种信息记录媒体,在基板上具备记录层,该记录层能利用电能或电磁波能在能进行电学或光学检测的状态间产生可逆性相转移,其中,形成所述记录层的记录材料为下述A或B的材料,而且晶格缺陷的至少一部分由构成结晶结构的元素以外的元素镶嵌,镶嵌所述晶格缺陷的元素的添加浓度为Dim、所述结晶结构中的晶格缺陷的浓度为Ddf时,满足Dim≤Ddf×1.5的关系:
A.在所述可逆性相变化的一个相中,具有含有晶格缺陷的结晶结构的材料;
B.在所述可逆性相变化的一个相中,形成由含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相,而且所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料。
5.一种信息记录媒体,在基板上具备记录层,该记录层能利用电能或电磁波能在能进行电学或光学检测的状态间产生可逆性相转移,其中,形成所述记录层的记录材料为下述A或B的材料,而且晶格缺陷的至少一部分由构成结晶结构的元素以外的元素镶嵌,镶嵌所述晶格缺陷的至少一部分的元素为和Te形成稳定的化学计量的岩盐形结晶的元素,镶嵌所述晶格缺陷的元素是选自Ag、Sn以及Pb的至少一种元素:
A.在所述可逆性相变化的一个相中,具有含有晶格缺陷的结晶结构的材料;
B.在所述可逆性相变化的一个相中,形成由含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相,而且所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料。
6.如权利要求1、3、4、5任一项所述的信息记录媒体,所述B成分的复合相中的所述非结晶相部分相对所述结晶相部分的摩尔比为2.0以下。
7.如权利要求2-5任一项所述的信息记录媒体,所述B成分的可逆性相转移在所述复合相和单一相之间产生。
8.如权利要求1-5任一项所述的信息记录媒体,含有所述晶格缺陷的结晶结构为NaCl形。
9.如权利要求1-5任一项所述的信息记录媒体,在含有所述晶格缺陷的结晶结构中含有Te或Se。
10.如权利要求1-5任一项所述的信息记录媒体,形成所述B成分的复合相的所述非结晶相部分含有选自Sb、Bi、Ge以及In的至少一种元素。
11.如权利要求1-5任一项所述的信息记录媒体,含有所述晶格缺陷的结晶结构含有Ge、Sb以及Te。
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