[发明专利]一种基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法无效
| 申请号： | 201010112023.3 | 申请日： | 2010-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101834124A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 彭俊华;黄飚;黄宇华 | 申请（专利权）人： | 广东中显科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇 |
| 地址： | 528225 广东省佛山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 退火 工艺 多晶 薄膜 材料 制造 方法 | ||
1.一种基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1)：选定衬底，在该衬底上形成第一阻挡层；
步骤2)：在所述第一阻挡层上依次形成金属诱导层、第二层阻挡层、非晶硅层和金属吸附层；
步骤3)：对步骤2)所得产物进行退火处理，得到晶化的多晶硅薄膜；
步骤4)：去除经所述退火处理后的金属吸附层。
2.根据权利要求1所述的基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述第一和第二阻挡层包括金属、碳化硅、硅的氧化物或硅的氮化物。
3.根据权利要求2所述的基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述第一和第二阻挡层厚度为0.1-1.0微米。
4.根据权利要求1所述的基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述金属诱导层中含有Ni、Ai、Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pb、Cu中的任意1种或1种以上。
5.根据权利要求4所述的基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述金属诱导层中含有镍。
6.根据权利要求5所述的基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述金属诱导层的厚度在100～900纳米之间。
7.根据权利要求1所述的基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述非晶硅薄膜厚度为1-100纳米。
8.根据权利要求1所述的基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述金属吸附层包括磷硅玻璃、硅的氧化物或硅的氮化物，厚度在100～900纳米之间。
9.根据权利要求1所述的基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制造方法，其特征在于，所述退火处理温度为450-600℃，处理时间为1-2小时，加热处理所在的气氛为氮气或惰性气体。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的基于退火工艺的多晶硅薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述衬底包括玻璃、不锈钢或柔性材料衬底。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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