[发明专利]一种包含环绕井的具有静电放电容忍的输入/输出垫电路

权利要求书

1.一种包含环绕井的具有静电放电容忍的输入/输出垫电路，其特征在于其包括：

一半导体主体，具有一第一导电类型；

一接触垫在该半导体主体上；

一环绕井在该半导体主体中，与该接触垫耦接且具有一第二导电类型，该环绕井环绕于该半导体主体中的一区域；以及

一静电放电电路在该半导体主体中的该区域内，包括一二极管与该接触垫耦接，及一晶体管适用于与一参考电压耦接，以在该半导体主体的一放电区域中提供一介于该接触垫与该参考电压之间的放电电流路径。

2.根据权利要求1所述的包含环绕井的具有静电放电容忍的输入/输出垫电路，其特征在于包括：

一内部井在该半导体主体中的该区域内，且具有该第二导电类型；

该二极管的一第一端点，包括一掺杂区域在该内部井中，具有该第一导电类型，该第一端点与该接触垫耦接；

该二极管的一第二端点，包括一掺杂区域在该内部井中，具有该第二导电类型；

该晶体管的一源极及一漏极在该主体的该区域内，具有该第二导电类型；

一主体端点在该主体中，具有该第一导电类型在该区域内，该主体端点适用于与该参考电压及该晶体管的该源极耦接；

一偏压端点在该主体中，具有该第二导电类型在该区域内介于该内部井与该漏极之间，该偏压端点与一电压源耦接；以及

一内连接在该主体中且将该二极管的该第二端点与该晶体管的该漏极耦接。

3.根据权利要求2所述的包含环绕井的具有静电放电容忍的输入/输出垫电路，其特征在于其中所述的主体端点、该源极及该漏极具有深度，而该环绕井具有一环绕井深度，其远超过该主体端点、该源极及该漏极至少一者的深度。

4.根据权利要求2所述的包含环绕井的具有静电放电容忍的输入/输出垫电路，其特征在于其中所述的主体端点、该源极及该漏极具有深度，而该环绕井具有一环绕井深度，其为该主体端点、该源极及该漏极至少一者的深度的二倍到十倍。

5.根据权利要求1所述的包含环绕井的具有静电放电容忍的输入/输出垫电路，其特征在于包括一环绕井沟渠绝缘体在该主体中介于该环绕井与该区域之间，且具有一环绕沟渠深度，该环绕井在该主体中具有一深度是大于该环绕沟渠深度。

6.根据权利要求2所述的包含环绕井的具有静电放电容忍的输入/输出垫电路，其特征在于包括一内部沟渠绝缘体在该主体中介于该内部井与该漏极之间，且具有一内部沟渠深度，该漏极在该主体中具有一深度是小于该内部沟渠深度。

7.根据权利要求1所述的包含环绕井的具有静电放电容忍的输入/输出垫电路，其特征在于其中所述的区域包括一第一部分及一第二部分，且包括：

一内部沟渠绝缘体在该主体中介于该区域的该第一部分与该第二部分之间；

一环绕井沟渠绝缘体在该主体中介于该环绕井与该区域之间，且具有一环绕沟渠深度，该环绕井在该主体中具有一深度是大于该环绕沟渠深度；

一内部井在该主体中的该区域的该第一部分内，且具有该第二导电类型，该内部井在该主体中具有一深度是大于该环绕沟渠深度；

该二极管的一第一端点，包括一掺杂区域在该内部井中，具有该第一导电类型，该第一端点与该接触垫耦接；

该二极管的一第二端点，包括一掺杂区域在该内部井中，具有该第二导电类型；

该晶体管的一源极及一漏极在该主体的该区域的该第二部分内，具有该第二导电类型；

一主体端点在该主体中，具有该第一导电类型在该区域的该第二部分内，该主体端点适用于与该参考电压及该晶体管的该源极耦接；

一偏压端点在该主体中，具有该第二导电类型在该区域内介于该第一部分与该第二部分之间，该偏压端点适用于与一电压源耦接；以及

该二极管的该第二端点与该晶体管的该漏极耦接。

8.根据权利要求7所述的包含环绕井的具有静电放电容忍的输入/输出垫电路置，其特征在于其中所述的漏极是通过一第二场效应晶体管与该二极管的该第二端点耦接。

9.根据权利要求1所述的包含环绕井的具有静电放电容忍的输入/输出垫电路，其特征在于其中所述的晶体管具有一栅极适用于与该参考电压耦接。

10.根据权利要求1所述的包含环绕井的具有静电放电容忍的输入/输出垫电路，其特征在于其中所述的晶体管包含一场晶体管。