[发明专利]电压生成电路有效
| 申请号: | 201010111216.7 | 申请日: | 2010-02-10 |
| 公开(公告)号: | CN102148567A | 公开(公告)日: | 2011-08-10 |
| 发明(设计)人: | 杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | H02M3/156 | 分类号: | H02M3/156 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电压 生成 电路 | ||
1.一种电压生成电路,用于向负载单元提供电压,所述负载单元包括电压输入端,其特征在于,包括:
电压调节器,对参考电压进行调节,产生输出电压;
电压补偿单元,在所述负载单元开始工作时产生持续时间为预设时间的补偿电压,
所述输出电压和补偿电压输入至所述电压输入端。
2.根据权利要求1所述的电压生成电路,其特征在于,所述电压补偿单元包括:
触发生成单元,在所述负载单元开始工作时产生持续时间为预设时间的触发信号;
电压驱动单元,由所述触发信号控制,产生所述补偿电压。
3.根据权利要求2所述的电压生成电路,其特征在于,所述负载单元由使能信号控制,在所述使能信号有效时工作,在所述使能信号无效时停止工作。
4.根据权利要求3所述的电压生成电路,其特征在于,所述触发信号为脉冲信号,其脉冲宽度等于所述预设时间。
5.根据权利要求4所述的电压生成电路,其特征在于,所述使能信号为高电平有效,所述触发生成单元包括:
延时反相单元,输入所述使能信号,进行延时和反相后产生中间使能信号;
与非门,输入所述使能信号和中间使能信号,进行与非运算后,产生所述脉冲信号。
6.根据权利要求5所述的电压生成电路,其特征在于,所述电压驱动单元包括PMOS晶体管,所述PMOS晶体管的栅极输入所述脉冲信号,源极输入预定电压,漏极连接所述负载单元的电压输入端。
7.根据权利要求4所述的电压生成电路,其特征在于,所述使能信号为低电平有效,所述触发生成单元包括:
延时反相单元,输入所述使能信号,进行延时和反相后产生中间使能信号;
或非门,输入所述使能信号和中间使能信号,进行或非运算后,产生所述脉冲信号。
8.根据权利要求7所述的电压生成电路,其特征在于,所述电压驱动单元包括NMOS晶体管,所述NMOS晶体管的栅极输入所述脉冲信号,漏极连接预定电压,源极连接所述负载单元的电压输入端。
9.根据权利要求5至8中任一项所述的电压生成电路,其特征在于,所述延时反相单元包括:奇数级串联的反相器。
10.根据权利要9所述的电压生成电路,其特征在于,所述奇数级串联的反相器的总延时等于所述预设时间。
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