[发明专利]半导体发光器件无效
| 申请号: | 201010107955.9 | 申请日: | 2010-02-01 |
| 公开(公告)号: | CN101800235A | 公开(公告)日: | 2010-08-11 |
| 发明(设计)人: | 增井勇志;幸田伦太郎;前田修;荒木田孝博;成瀬晃和;城岸直辉 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 发光 器件 | ||
1.一种半导体发光器件,包括:
半导体发光元件,依次包括第一多层反射器、具有发光区域的有源层以 及第二多层反射器;
半导体光检测元件,相对于所述半导体发光元件设置在所述第一多层反 射器侧并包括光吸收层,该光吸收层构造为吸收从所述发光区域发射的光;
透明的衬底,设置在所述半导体发光元件与所述半导体光检测元件之 间;
第一金属层,具有在包括与所述发光区域相对的区域的区域中的第一开 口,并将所述半导体发光元件与所述衬底结合;以及
第二金属层,具有在包括与所述发光区域相对的区域的区域中的第二开 口,并将所述半导体光检测元件与所述衬底结合,
其中满足下面的关系:
d/r≥10
其中d为所述发光区域与所述半导体光检测元件之间的距离,r为所述 发光区域的半径。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中
所述半导体发光元件包括设置在所述第二多层反射器上的环形电极,该 环形电极具有在包括与所述发光区域相对的区域的区域中的孔;以及
所述第一开口和所述第二开口设置在与所述孔相对的区域中。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述衬底是导电的。
4.根据权利要求1所述的半导体发光器件,其中所述衬底是绝缘的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





