[发明专利]用于处理基板的系统及方法

说明书

相关申请的交叉引用

本美国非临时申请根据35 U.S.C.§119，要求申请日为2009年1月30日的韩 国专利申请号10-2009-0007626，以及申请日为2009年3月31日的韩国专利申 请号10-2009-0027373的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

背景技术

本发明公开了一种用于处理基板的系统及方法，更特别地，涉及一种对基 板运用光刻工艺的系统及方法。

制造半导体装置会运用多种工艺，例如清洗工艺，沉淀工艺，光刻工艺， 蚀刻工艺，离子植入工艺等。用于形成图案的照相工艺在高集成半导体装置中 起着非常重要的作用。

大体上，用于执行光刻工艺的系统，包括：涂覆单元，用于在基板上涂覆 抗蚀剂；显影单元，用于执行通过曝光工艺完成的基板显影工艺；以及处理模 块，所述处理模块具有用于与曝光装置直线连接(inline-connection)的接口。 近些年来，随着半导体装置的高集成化，用于完成曝光工艺的时间逐渐增加。 这就造成了曝光装置中基板的拥挤。因此，基板处理模块中涂覆和显影单元的 处理效率大大降低。

发明内容

本发明提供一种用于处理基板的系统及方法，所述系统及方法可以提高光 刻工艺效率。

本发明同样提供一种用于处理基板的系统及方法，所述系统及方法可以增 加用于执行分别在曝光工艺之前以及之后进行的涂覆和显影工艺的各单元的生 产效率。

本发明同样提供一种基板处理系统，所述系统具有可合理配置执行各种工 艺的各个室的布局。

本发明的目的不仅限于如上所述，并且本发明的其它目的将会通过下面的 描述而对本领域技术人员而言变得更加明显。

本发明的实施例提供了一种基板处理系统，所述系统包括：涂覆单元，用 于执行基板涂覆工艺；与曝光单元相连接的预曝光/后曝光 (pre/post-exposure)处理单元，用于执行曝光工艺以及对在涂覆单元中处理 过的基板执行预曝光/后曝光处理工艺；显影单元，用于执行在预/后曝光处理 单元内进行的基板显影工艺。涂覆单元，预/后曝光处理单元以及显影单元中的 每一个都包括：装载端，所述装载端上放置有接收基板的容器；移送模块，用 于将基板从容器中取出或是放入容器；以及处理模块，用于在基板上执行预定 的工艺。所述装载端、移送模块以及处理模块顺序地放置。预曝光/后曝光处理 单元进一步包括与曝光单元相连接的接口模块，所述接口模块位于处理模块的 一侧，并且移送模块位于处理模块的另一侧。

在一些实施例中，所述预曝光/后曝光处理单元的处理模块可以包括位于不 同层内的第一模块和第二模块。所述第一模块可以包括：保护层涂覆室，用于 在基板上涂覆保护层；烘干室，用于对基板进行热处理；第一机械手，用于在 保护层涂覆室和烘干室之间传送基板。所述第二模块可以进一步包括用于清洗 基板的清洗室。另外，所述第二模块可以包括：后曝光烘干室，用于对曝光的 基板进行后曝光烘干；第二机械手，用于在清洗室和后曝光烘干室之间传送基 板。

在其它实施例中，所述预曝光/后曝光处理单元可进一步包括位于移送模块 和处理模块之间的缓冲模块，其中，所述缓冲模块包括：高度与第一模块相一 致的第一缓冲器，用于临时存放基板；以及高度与第二模块相一致的第二缓冲 器，同样用于临时存放基板。第一缓冲器和第二缓冲器可相互堆积，并且第一 缓冲器和第二缓冲器的每一个都具有多个支架。另外，所述预曝光/后曝光处理 单元的缓冲模块可进一步包括缓冲器机械手，用于在第一缓冲器和第二缓冲器 之间传送基板。第一缓冲器和第二缓冲器在垂直方向上可并排放置，缓冲模块 可位于与第一模块相一致的高度上，并且进一步包括用于冷却基板的冷却室。

在其它的实施例中，所述接口模块可包括：高度与第一模块相一致的第一 缓冲器，用于临时存放基板；以及高度与第二模块相一致的第二缓冲器，同样 用于临时存放基板；以及接口机械手，用于在曝光单元与第二缓冲器之间以及 在第二缓冲器与曝光单元之间传送基板。

在其它的实施例中，所述涂覆单元可进一步包括边缘曝光模块，其中，所 述边缘曝光模块可以位于处理模块的一侧，并且移送模块可以位于处理模块的 另一侧。